台积电强推新堆叠技术，让同体积芯片性能增加两倍

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近期，台积电（TSMC）开始多次提到它的一个新技术－「系统整合单芯片（System-on-Integrated-Chips；SoIC）」，而在今天的法说会上，更具体的提出量产的时间，预计在2021年，台积电的SoIC技术就将进行量产。

究竟什么是SoIC？根据台积电在之前的技术论坛上的说明，所谓SoIC是一种创新的多芯片堆叠技术，能对10纳米以下的制程进行晶圆级的接合技术。该技术没有突起的键合结构，因此有更佳运作的性能。

所以从描述上来看，它就是一种晶圆对晶圆（Wafer-on-wafer）的接合（bonding）技术，目前台积电也正在EDA工具商就此进行合作，推出此制程技术的设计与验证工具。

更具体的说，它可能是一种3D IC制程的技术，也就是台积电可能已具备直接位客户生产3D IC的能力。此技术不仅可以持续维持摩尔定律，也可望进一步突破单一芯片运行效能。

该技术的发展关键就在于达到没有凸起的接合结构，因此它非常可能是采用硅导孔(Through-silicon Vias；TSV)技术，直接透过极微小的孔隙来沟通多层的芯片。

但令人更惊艳的是，台积电的SoIC技术能使用在10纳米以下的制程，这意味着未来的芯片能在接近相同的体积里，增加双倍以上的性能。因此连台积电自己都非常看好这项制程技术。

台积电因应苹果新世代处理器制程推动至7纳米，决定同步扩大后段扇出型封装（InFO）产能，并且从龙潭延伸至中科，产能将再扩增一倍，恐对后段封测厂日月光、硅品营运相对不利。

台积电供应链指出，台积电原位于中科的台积太阳能厂，两年多前结束营运后，台积电决定利用原厂址发展InFO封测业务，相关投资计画已获科技部科学园区投资审议委员会审核通过，正全力展开装机作业，台积电也证实，确实打算再扩充后段封测产能，相关投资金额已列入今年资本支出，实际投资金额不便透露，但会比去年多。

台积电的InFO高阶封装，完全是配合主要客户苹果。2016年台积电买下高通龙潭厂，就是提供整体晶圆服务，从制造到后段晶圆封装，随台积电独家承揽苹果A10及A11处理器，台积电位于龙潭的封装厂已全数满载，台积电又完封装三星，独揽苹果次世代A12或称A11x处理器，在晶圆数需求大增下，台积除扩充龙潭厂外，也决定于中科再扩增InFO后段高阶封测产能。

台积电供应链传出，台积电近期已大举购买后段封装机台设备，预计增加龙潭厂月产能从10万片到13万片，并于上季量产。

台积电在后段先进封装的扩产，也从龙潭延伸到中科，目前正就紧邻量产10纳米重镇15厂区旁的原台积太阳能厂增加InFO新厂，整体产能可望倍增，龙潭二期用地可望是台积电未来扩厂的新选择。

业界表示，台积电大扩产InFO的动作，显示InFO将不会委外，全部自己生产，客户预期将会增加，营收贡献也可望提高，对日月光等封测厂恐有不利影响；相对的，相关设备与材料等供应商受惠。

台积电去年第4季已开始进行7纳米试产，上季正式量产，部光罩制程采用极紫外光（EUV）技术的7+（7纳米强化版）预定明年进入量产。至于5纳米部份，目前规划2019年下半年开始试产，2020年进入量产。

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