低处未算低,DRAM价格恐将继续下跌!

2018-11-16 14:00:16 来源: 半导体行业观察

根据研调机构TrendForce 记忆体储存研究(DRAMeXchange) 调查显示,今年第3 季DRAM 产业营收较上季成长9%,再创历史新高,惟10 月DRAM 合约价已正式走跌,供过于求加上高库存水位的影响,导致价格跌幅更趋剧烈,原厂获利能力可能已触顶,且预期在供给端、通路端、采购端库存尚未去化完全前,明年第1季合约价恐将面临更大的跌价压力。

回顾第3 季,DRAMeXchange 指出,今年第3 季DRAM 产业营收较上季成长9%,再创历史新高,除绘图用记忆体受到虚拟挖矿需求骤减与基期太高影响,出现3% 左右跌幅,及消费性市场应用主流DDR3 因需求转弱率先走跌外,其余主流应用别的记忆体仍维持0 至2% 的季涨幅。

DRAMeXchange 表示,由于DRAM产能已在下半年陆续开出,第3 季价格涨幅已近持平,营收成长主要来自位元出货量的提升。

展望第四季,10 月DRAM 合约价已正式走跌,供过于求加上高库存水位的影响,导致价格跌幅更趋剧烈,预期在供给端、通路端、采购端库存尚未去化完全前,明年第1 季合约价恐将面临更大的跌价压力。

从营收角度观察,DRAMeXchange 指出,在产业迈向反转之际,小厂受到的冲击较龙头厂来的即时且剧烈,大小厂商的表现在第3 季开始出现分歧。三星受惠于新增产能逐渐放量,位元出货成长显著,营收创新高,在三大厂中表现最为亮眼;SK 海力士在产出提升及平均销售单价小幅上扬1% 的挹注下,营收季增6.0%,两大韩厂营收市占分别为45.5% 与29.1%,合计约74.6%。

美光集团依旧维持第三,虽然销售单价约略持平,但位元出货提升仍带动营收季增6.8%,市占率则约略持平在21.1%。

原厂获利能力方面,即便第3 季平均销售单价的涨幅已大幅收敛,但各厂仍持续靠着转进先进制程优化成本结构,使营业利益率较前一季上扬,三大原厂营益率持续刷新纪录,但在第4 季DRAM 价格已正式反转向下且跌幅显著的情况下,成本优化可能已无法抵销报价下滑的冲击,原厂获利的高点恐怕已结束。

DRAMeXchange指出,下半年削弱DRAM需求的主因,包括智能型手机硬体规格已难以吸引换机需求,导致旺季出货表现平淡;伺服器市场出货动能出现杂音,以及PC及NB市场因英特尔平台供货不足而受到冲击等。

展望2019年,虽然各家对后续新增产能的计画较为保守,但投片量仍逐渐上升,再加上明年也将持续受惠于1x/1y奈米制程进入成熟期,DRAMeXchange预计整体供给位元年产出将成长近22%。明年DRAM价格跌幅仍取决于需求端的变化,尤其是伺服器的出货以及单机搭载量是否有足够的成长动能。

目前预估2019年DRAM价格年均价将下滑约15~20%,但如果伺服器以及智能型手机需求出现重大修正,价格恐怕会有进一步下滑的风险。

责任编辑:Sophie
半导体行业观察
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