英特尔工艺路线图公布,7nm将在2021年到来

2019-05-09 14:00:21 来源: 半导体行业观察

在今天的英特尔投资者日,首席执行官Bob Swan和Murthy Renduchintala谈到了公司在制造能力方面的进展。英特尔过去多年来在处理其工艺技术方面一直表现强劲,但其10nm工艺的延迟显然引发了很多质疑,并且已经持续了好几年。而这两位英特尔高管在这次投资日活动上详细介绍了英特尔在此期间所做的工作,以及它如何从这些问题中吸取教训。

早在2013年,英特尔就希望通过提供2.7倍密度,采用自 Self-Aligned Quad Patterning (SAQP), Contact over Active Gate (COAG), Cobolt Interconnects以及EMIB和Foveros等新封装技术等新技术,让10纳米顺利接班14纳米。英特尔承认这是一项雄心勃勃的计划,目标尚未与团队明确界定,最终因为过于复杂,无法以理想的方式进行管理,而屡屡被拖延。

在这种情况下,英特尔将10nm推向2019年(技术上他们在2017年曾经外发过小批量的10nm Cannon Lake,但这只不过是半导体时间线上的“古玩“),填补了14+和14 ++的空白。

自成立以来,Intels 14+和14 ++制程从获得了20%的性能提升(从Broadwell到Whiskey Lake)。因此,英特尔不仅准备好为将来的节点内优化做好准备,而且实际上会调整路线图来弥补它。Murthy明确表示,英特尔希望在新制程开始的时候,重新将摩尔定律推回正轨。

英特尔表示其10nm产品系列(Cannon Lake以外)将于今年年中(2019年)开始供货,Ice Lake将在客户平台(笔记本电脑)上推出。

英特尔将在2019年和2020年推出多款10nm产品,包括2020年上半年推出的10nm服务器产品:

在上面的幻灯片中,英特尔声称它的7纳米将在2021年到来,解释还会推出一款新产品。对于一家在10纳米上倍受困扰的公司,这听起来非常激进。它在Intels roadmap中指出,10nm(和10+和10 ++)的生命周期比14nm系列工艺短得多。

从上图我们也可以看到,在英特尔看来,他们的14nm相当于台积电的10nm,10nm相当于台积电的7nm。7nm相当于台积电的5nm的,但我们看到,台积电的5nm将会在明年推出,那就意味着intel官方承认了自己的制程落后于台积电。

考虑到这一点,英特尔的7纳米将成为英特尔从14纳米和10纳米系列产品中学到的东西的组合。英特尔希望进行2倍扩展(Moores Law),但计划中的节点内优化作为路线图的一部分。英特尔还在减少设计规则的数量,这有助于执行。7nm也将是英特尔与EUV交叉的地方,并且还将推出下一代Foveros和EMIB打包。

这样看的话,英特尔将会从从其14纳米和10纳米系列产品中学到的东西移植到7nm上。英特尔希望能做到两倍规模提升(Moores Law),但我们从下图可以看到,计划中的节点内优化,也是他们路线图的一部分。英特尔还在减少设计规则的数量,这有助于执行。7nm也将是英特尔首次使用EUV工艺的的节点,同时他们还一并推出科下一代Foveros和EMIB封装。

从英特尔提供的这张幻灯片我们可以看到,其中显示了一个单片PC die,还有一个基于Foveros和EMIB的多芯片以数据die。这证实了我们与英特尔芯片和封装团队的讨论  ,会在产品上看到Foveros和EMIB的组合,特别是GPU。

英特尔宣布其7纳米领先产品(领先=顶级,或领先=第一?),那也许就是他们基于Xe图形架构的全新GPGPU。英特尔表示,其Xe产品堆栈将具有从移动客户端到GPGPU的两种不同的微体系结构,其中一种架构称为Arctic Sound-,

实际上,根据其新闻稿,英特尔将在2020年推出其首款独立GPU,但7nm GPGPU将将于2021年推出。

责任编辑:Sophie

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