ICSICT 2020中文征文通知

2020-01-03 15:37:16 来源: 互联网

第一次征文通知
 
第十五届固态和集成电路技术国际会议
http://www.icsict.com
2020年11月3日-11月6日, 昆明温德姆至尊豪廷大酒店
 
第十五届IEEE国际固态和集成电路会议(2020 IEEE 15th International Conference on Solid-state and Integrated Circuit Technology, ICSICT 2020)将于2020年11月3日至11月6日在昆明召开,本次会议由IEEE北京分会和复旦大学主办、云南大学和北京大学协办,并受到了IEEE EDS及SSCS学会、IET等国内外多家学术组织的支持。
 
ICSICT是在中国举办的有关固态器件、集成电路方面规模最大、影响最大的国际学术会议。本次会议是在中国半导体事业蓬勃发展的时期召开的一次盛会。会议将邀请中、美、日、韩、欧洲及亚太其他各国、各地区著名专家作大会主题报告、Tutorial报告和分会邀请报告,并进行分组学术报告和大字报展示。这次会议将为国内外微电子、光电子、纳电子等领域的研究人员提供平台,是互相交流信息和了解国内外最新进展的一次好机会。
 
会议除原设优秀学生论文奖外,新设杰出青年科技论文奖。会议论文集具有IEEE和美国国会图书馆统一书号,会后所有录取论文将在IEEE Xplore 数据库上发表、并被EI检索。会议还将组织有关企业展览。
 
会议主要内容
(文章内容要求在以下领域、但不限于以下内容)
 
工艺和器件技术 
1. 沟道工程
2. 高k/金属栅技术
3. 先进源漏技术
4. 互连技术
5. 先进3D集成
6. 新型工艺技术
7. 超薄体晶体管和器件
8. 高性能CMOS器件
9. CMOS器件性能提升和新器件技术 
10. 先进FinFET和纳米线FET器件
11. 纳米碳管器件、MTJ器件和纳米线器件
12. 低功耗和陡峭亚阈值摆幅开关器件
13. 二维器件和技术
14. Ge MOSFET及其先进技术
15. 有机半导体器件和技术
16. 化合物半导体器件和技术 
17. 超高速晶体管,HEMT/HBT等
18. 光电子器件
19. 先进功率器件和可靠性
20. 闪存器件和技术
21. 磁性存储器
22. 阻变存储器
23. 相变存储器
24. 3D存储器
25. MEMS 技术
26. 薄膜晶体管
27. 传感器
28. PV和新节能器件
29. 前道可靠性
30. 存储器可靠性
31. 后道可靠性和ESD技术
32. 器件模拟和建模
33. 工艺模拟和建模
34. 人工智能(工艺和器件)
35. 物联网(IOT)工艺和器件
 
电路和CAD技术
36. 处理器技术
37. 模拟集成电路
38. SOC
39. PLL和 CDR电路
40. 低功耗 ADC电路
41. 数字集成电路
42. 高分辨率、高速数据转换器
43. 数字芯片/芯片和片上接口
44. 高级时钟生成电路
45. 人工智能(电路和系统)
46. 物联网(IOT)电路和系统
47. FPGA
48. 高级SRAM /DRAM电路, 嵌入式存储器电路,非挥发存储器电路
49. 高级收发器技术
50. 电子设计自动化(EDA)
51. 射频电路和系统
52. 抗干扰射频接收器
53. 信号处理技术
54. 系统级模型、仿真和验证
55. 系统级综合和优化
56. 高阶/行为级/逻辑综合和优化
57. 物理设计
58. DFM  
59. 5G芯片和相关技术
 
大会名誉主席:
王阳元   北京大学
 
大会共主席:
Jan Van der Spiegel  宾州大学,美国
Bin Zhao  Fairchild, 美国
汤庭鳌   复旦大学
张卫     复旦大学
岳昆     云南大学
顾问委员会共主席:
黄如   北京大学
Chenming Hu   美国加州大学伯克利分校
Cor Claeys   比利时鲁汶大学
T.P.Ma       美国耶鲁大学
K.N.Tu   美国加州大学洛杉矶分校
程序委员会共主席:
俞少峰   复旦大学
Hiroshi Iwai   日本东京工业大学
Jason Woo  美国加州大学洛杉矶分校
Yong Lian  上海交通大学,中国  
Ching Ting Lee  Yuan Ze大学,中国台湾
黎明   北京大学
赵毅   浙江大学
组织委员会共主席:
周孟奇   IEEE北京分会/中国电子学会
虞惠华   复旦大学
谭明川   云南大学
Publicity & Exhibition Committee主席:
徐敏  xu_min@fudan.edu.cn 
 
秘书长:
叶凡   复旦大学
 
稿件要求:
l 只接受全文(本次会议不接受摘要;文章如果被接受,将按投稿样式印刷)。
l 英语写作。
l 全文3页 (邀请报告4页)。页面大小设置为A4,内容限于17 cm × 22.6 cm的范围,两栏排版,不需要页码。稿件具体格式和模版请在会议的网站上查看。
l 要求文章按正式论文要求,以电子版PDF格式投稿。
l 若希望参评优秀学生论文,请在投稿注册表中注明(第一作者必须是学生,并亲自到会作报告)。
 
投稿方式:(不接受电邮投稿)
l 网络在线投稿: http://www.icsict.com
l 有关投稿事宜,请联系俞少峰先生:
上海复旦大学微电子学系      邮编:200433
Email:shaofeng_yu@fudan.edu.cn;电话:021-51355062
 
投稿截止日期:2020年6月30日
录用通知:2020年8月15日发出
请填写如下“回执”并用email发给虞惠华女士:
上海复旦大学微电子学系      邮编:200433
电话:021-65643761; Email:hhyu@fudan.edu.cn

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ICSICT-2020回执
 
姓名:______________________
单位:______________________
电话:______________________
Email:___________________________________
 
¨ 我希望得到进一步有关会议消息及注册表
¨ 我计划参加本次会议
¨ 我计划投稿,论文题目属于____________________领域
论文题目(如果已有)____________________________
责任编辑:sophie

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