​SiC未来可期,厂商加速布局

2020-03-23 14:00:19 来源: 半导体行业观察

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随着5G、电动车等新应用兴起,第三代化合物半导体材料逐渐成为市场焦点,看好碳化硅(SiC) 等功率半导体元件,在相关市场的优势与成长性,许多IDM、硅晶圆与晶圆代工厂,均争相扩大布局;即便近来市场遭遇疫情不确定因素袭击,业者仍积极投入,盼能抢在爆发性商机来临前,先站稳脚步。

目前全球95% 以上的半导体元件,都是以第一代半导体材料硅作为基础功能材料,主要应用在资讯与微电子产业,不过,随着电动车、5G 等新应用兴起,推升高频率、高功率元件需求成长,矽基半导体受限硅材料的物理性质,在性能上有不易突破的瓶颈,也让厂商开始争相投入化合物半导体领域。

第三代半导体材料包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC) 等宽频化合物半导体材料,其中,碳化硅具备低导通电阻、高切换频率、耐高温与耐高压等优势,可应用于1200 伏特以上的高压环境。

相较于氮化镓,碳化硅更耐高温、耐高压,较适合应用于严苛的环境,应用层面广泛,如风电、铁路等大型交通工具,及太阳能逆变器、不断电系统、智慧电网、电源供应器等高功率应用领域。

近来随着电动车与混合动力车发展,碳化硅材料快速在新能源车领域崛起,主要应用包括车载充电器、降压转换器与逆变器。且据研究机构IHS与Yole预测,碳化矽晶圆的全球电力与功率半导体市场产值,将从去年的13亿美元,扩增至2025年的52亿美元。

目前碳化硅晶圆市场由CREE独霸,市占率高达6成之多,中国台湾晶圆大厂、也是全球第三大硅晶圆供应商环球晶,也积极跨入碳化硅晶圆领域,已有产品小量出货,去年8月更宣布与GTAT签订碳化硅晶球长约,确保取得长期稳定、且符合市场需求的碳化硅晶球供应,以加速碳化硅晶圆产品发展。

另一家硅晶圆厂合晶也持续关注碳化硅或氮化镓产品,并评估进行策略合作,未来可能与其他厂商结盟。韩国唯一的半导体硅晶圆厂SK Siltron,也呼应韩国政府近来推动的材料技术自主化政策,今年2月底收购美国化学大厂杜邦(DuPont)的碳化硅晶圆事业,积极切入次世代半导体晶圆技术。

除硅晶圆厂外,投入碳化矽领域的还包括布局最早的汉磊投控,已在此领域建立完整生产链,旗下磊晶矽晶圆厂嘉晶切入4吋与6吋SiC磊晶矽晶圆代工服务,已获客户认证并量产;同集团的晶圆代工厂汉磊科,则提供SiC Diode、SiC MOSFET代工服务。

近来新加入市场的,还有寻求新事业发展的太阳能厂太极。太极上(2)月与中科院签署碳化矽专利授权合作开发合约,将着墨在碳化矽长晶与基板,初期切入高压功率元件应用市场,最快第4季可量产基板。

而在IDM厂方面,除英飞凌(Infi neo n)、罗姆(ROHM)等IDM大厂积极布局外,安森美半导体(ON Semiconductor)也在本月与GTAT签订5年碳化硅材料供给协议。

虽然受限成本与技术门槛较高、产品良率不高等因素,使碳化硅晶圆短期内难普及,但随着既有厂商与新进者相继扩增产能布局,且在电动车、5G 等需求持续驱动下,可望加速碳化硅晶圆产业发展。

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责任编辑:Sophie
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