台积电为扩产3nm,再发行巨额债券

2020-04-07 14:00:43 来源: 半导体行业观察

来源:内容来 自「工商时报」, 谢谢。


晶圆代工龙头台积电董事会2月已核准在中国台湾市场募集无担保普通公司债,以支应产能扩充与污染防治相关支出的资金需求,资金额度不超过新台币600亿元(约美金20亿元) 。这是台积电继2013年发行普通公司债以来再度发行,而且最高筹资额度达600亿元亦创下新高纪录。

台积电已于3月发行第一期无担保普通公司债,4月6日再发行第二期无担保普通公司债,共筹得456亿元资金,将用于新建扩建厂房设备。

设备业者指出,央行日前宣布降息后,中国台湾资金市场利率已达历史新点,此时发债筹资可大幅降低资金成本,是台积电在市场发行公司债的主要原因,而筹得资金将用于扩建5纳米及3纳米产能。

台积电3月发行的109年度第一期无担保普通公司债,发行总额为新台币240亿元,依发行期限不同分为甲类、乙类、丙类等3种。其中,甲类发行金额为新台币30亿元整,发行期限为5年期,固定年利率达0.58%;乙类发行金额为新台币105亿元整,发行期限为7年期,固定年利率达0.62%;丙类发行金额为新台币105亿元整,发行期限为10年期,固定年利率达0.64%。

台积电4月6日再度公告发行109年度第二期无担保普通公司债,发行总额为新台币216亿元,依发行期限不同分为甲类、乙类、丙类等3种。其中,甲类发行金额为新台币59亿元整,发行期限为5年期,固定年利率达0.52%;乙类发行金额为新台币104亿元整,发行期限为7年期,固定年利率达0.58%;丙类发行金额为新台币53亿元整,发行期限为10年期,固定年利率达0.60%。

台积电预计今年发行的无担保普通公司债的最高额度达600亿元,扣除第一期及第二期共456亿元,仍有144亿元额度可发行第三期公司债,但发行与否将视市场实际情况而定,不一定会足额发行。

台积电从去年就开始启动3nm晶圆厂的建设工作,由于晶圆厂对水力、电力资源要求很高,初期的环评工作很严格,今天台湾环保部门公布了台积电3nm晶圆厂的专案初审,通过了新竹科学园区有过宝山用地的申请,这意味着台积电的3nm晶圆厂最终落地在新竹园区。

根据台积电之前的资料,整个3nm晶圆厂预计会在2020年正式动工建设,耗资超过4000亿新台币,折合879亿人民币或者130亿美元。

虽然台积电已加快3nm 研发以延续领先地位,不过对手Samsung 亦积极抢进,据韩媒Business Korea 报导,Samsung 已经成功开发业界第一个3nm 芯片制程,与Samsung 的5nm 制程产品相比,3nm 制程的晶尺寸缩小35%,功耗降低50%,但性能却提高30%,计划在2022 年开始利用3nm 制程大规模生产芯片,此项成就有望加速Samsung 实现2030 年的半导体愿景计划。


在3nm 工艺之后,台积电及Samsung 仍会活跃进军2nm 工艺,这个工艺现在来说处于在技能规划,仍是在开发阶段,但问题来了,之前有报告指出研发7nm 芯片就需要投资3 亿美元、研发5nm 工艺就需要投资5.42 亿美元,那么到3nm、2nm 工艺需要的研发费用至少也要10 亿美元以上。

而目前的情况来看,5nm 工艺只有Apple、华为等的土豪公司才用得起,而面对成本直线上涨的问题,3nm、2nm 工艺究竟那一间大厂可以担负得起10 亿美元以上投资呢?!

*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系半导体行业观察。


今天是《半导体行业观察》为您分享的第2272期内容,欢迎关注。

推荐阅读


NAND Flash跨入128层时代

RDA系创业公司盘点:本土射频的半壁江山

日本10年关闭36座晶圆厂背后

半导体行业观察

半导体第一垂直媒体

实时 专业 原创 深度


识别二维码 ,回复下方关键词,阅读更多

存储|射频 |CMOS 设备 |FPGA |晶圆|苹果|海思|半导体股价



回复 投稿 ,看《如何成为“半导体行业观察”的一员 》

回复 搜索 ,还能轻松找到其他你感兴趣的文章!

责任编辑:Sophie