长江存储国家存储器基地项目二期（土建）开工

2020-06-21 14:01:28 来源: Sophie

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昨日，紫光集团官方微信消息显示，由长江存储实施的国家存储器基地项目二期（土建）在武汉东湖高新区开工。湖北省委书记、省人大常委会主任应勇宣布项目（土建）开工。湖北省委副书记、省长王晓东致辞。

长江存储国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。项目一期于2016年底开工建设，进展顺利，32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产，并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。

其中，其128层QLC产品于今年4月重磅推出，当时长江存储曾重磅宣布，其128层QLC 3D闪存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控厂商SSD等终端产品上通过验证。据长存介绍，这款产品的独特之处在于，它是业内首款128层QLC规格3D NAND，且拥有已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

另外，根据证券时报的消息显示，在开工仪式上，紫光集团兼长江存储公司董事长赵伟国介绍了项目情况。国家存储器基地项目于2016年12月30日开工，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，总投资240亿美元。其中，一期主要实现技术突破，并建成10万片/月产能；二期规划产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片。

二期工程建成后也意味着国内闪存的产能三倍增长，有助于长江存储提高市场占有率。

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