台积电反超Intel的关键人物，复旦高材生入籍台湾

2020-10-29 14:00:29 来源: 半导体行业观察

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日前，中国台湾“内政部 ”公布归化高级专业人才审查会审查结果，美国籍的曹敏通过审查，归化成为台湾人，这受到各界瞩目。

据报道，曹敏毕业于上海复旦大学电子工程学系，之后赴美留学，取得美国斯坦福大学物理系博士学位。

台湾方面的报道指出，美国籍的曹敏专长是半导体研发设计，曾带领台湾积体电路制造股份有限公司团队，开发20纳米及10纳米制程技术。最值得一提的是，他带领台积电1400人团队，进行跨部门合作，历经3年的坚持努力，突破高介电材料/金属闸技术，并创新采用双重曝光技术，成功开发20纳米制程技术。

20纳米能顺利投产的另一个关键技术是双重曝光(double patterning)技术，这也是台积电首次采用这项技术。曹敏团队开发出智能图案拆解技术及创新的多层蚀刻保护膜，能克服光罩对准问题的限制，使双曝双蚀刻制程达到可控制量产的要求。曹敏强调，「在双重曝光领域，台积电有大量创新，业界只有我们能成功运用，遥遥领先竞争对手。」

这项成果让台积电的晶圆密度能够超越全球芯片巨擘英特尔（Intel），技术大幅领先国际，增强台积电的竞争力，确保在晶圆代工领域的领先地位，并于2013年获得经济部产业创新奖的年度创新突破奖肯定。

据台积电官网介绍，曹敏博士于2018年2月起担任台积公司技术发展Pathfinding副总经理。在此之前，曹敏博士自2016年起担任Pathfinding处资深处长。曹敏博士于2002年加入台积公司，成功协助开发多项先进的互补金属氧化物半导体(CMOS)制程技术，包括90纳米、65纳米、40纳米、28纳米、20纳米以及10纳米。

自2006年至2008年，曹敏博士带领了40纳米泛用型制程技术的开发，此项技术也是台积公司首款利用超密度微缩的纳米制程。2009年，首次利用高介电常数金属闸极（HKMG）技术，成功带领了28纳米高效能制程的开发。曹敏博士其后亦带领研发团队开发20纳米及10纳米制程技术。

在加入台积公司之前，曹敏博士自1994年至1999年任职于惠普实验室（Hewlett-Packard Laboratories），1999年至2000年任职于PDF解决方案公司（PDF Solutions），2000年至2002年任职于百利通半导体公司（Pericom Semiconductor）。

曹敏博士在集成电路技术领域共拥有36项专利。曹博士曾在许多委员会担任重要职务，包括国际电子元件会议（IEDM）和国际VLSI技术和电路专题研讨会。曹敏博士毕业于上海复旦大学电子工程学系，于旧金山州立大学物理学系取得硕士学位，并于美国斯坦福大学物理学系取得博士学位。

现在，曹敏担任研究发展／技术发展／Pathfinding副总经理。接下来，台积电在3纳米后，技术蓝图要如何发展，是否要用新方法提高价值，就要靠他研究。

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