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我们知道，Snapdragon 888和Exynos 2100都是在三星新的5nm工艺节点上制造的，下面我们对这个工艺进行一些深入的了解：
要记住的重要一点是，尽管三星称此节点为5nm，但其设计和特性与7nm节点更相似。新节点的关键新特性是在EUV工艺节点上重新引入SDB（single diffusion breaks
），以及工艺单元库中的细微变化。
根据三星自己的数字，他们声称5LPE的功耗比7LPP低20％，或者性能高10％。这些实际上是要放在上下文中的非常重要的数字，尤其是当我们比较在TSMC工艺节点上制造的设计时。
至少在去年对Galaxy S20系列以及Exynos 990和Snapdragon 865 SoC进行的审查中，高通的Snapdragon 765 SoC也是在三星的7LPP节点上制造的，并具有Cortex-A76内核，这是一个重要的数据点。在比较中，我们看到Exynos 990和Snapdragon 765的A76内核在功耗方面的表现非常相似，但是它们落后于基于TSMC的Cortex-A76内核20％到30％。
在这种情况下，三星的5LPE工艺节点将功率提高了20％，这意味着它们只会赶上台积电的7nm节点。
要做一个有趣的比较-可能是我们今天实际上能够实现的罕见比较之一，是Snapdragon 865和新Snapdragon 888内部的Cortex-A55内核之间的比较。两个SoC都具有相同的IP内核，它们以相同的1.8GHz频率时钟，并且都具有相同的L2缓存量，唯一的不同是它们的处理节点。
使用SPEC的456.hmmer –因为它是主要位于较低缓存层次结构中的工作负载，因此，我们避免了可能不同的内存子系统的任何影响，我们可以看到两个SoC的功耗的确几乎相同，而性能也得分为6.84对6.81，而新款Snapdragon 888则相同。
因此，至少乍看之下，我们关于三星5LPE仅能赶上台积电N7 / N7P节点的功耗和能效的理论似乎是正确的-至少在这些频率上如此。
进一步有趣的数据是Exynos 2100上CPU的电压曲线。我已经提取了我的两个设备（常规的S21和S21 Ultra）的频率电压表，以上曲线是较小的S21内部更好的分箱芯片。
从这代工艺来说，三星似乎已经能够大幅降低这一代的电压。现在，在Cortex-A55内核上，这些内核在2GHz时仅需要800mV，而去年在我们的评测单元中，Exynos 990则需要超过1050mV。同样，尽管比较并非一帆风顺，但2.5GHz的Cortex-A78内核仅需要862mV，而上一代的Cortex-A76内核也需要1050mV。
有趣的是，Cortex-X1内核与Cortex-A78内核的电压曲线非常接近：它们彼此几乎相同，这实际上与Arm声称新X1内核具有相同的频率能力是一致的作为A78磁芯，只有更大并且功耗随频率呈线性增加。
三星的频率表表明，他们已经在测试高达2.6GHz的A55，以及测试高达3.2GHz的X1和A78内核–但是这里的电压要高得多，而且很可能SLSI也无法达到类似的芯片产量。
不幸的是，我无法从Snapdragon 888 S21 Ultra中提取数据，因此我无法准确确定电压与Exynos 2100相比下降了多少。我可以确认一件事，这两个SoC之间存在很大差异三星确实确实为Exynos 2100的Cortex-X1内核提供了自己的专用电压轨和PMIC调节器，而Snapdragon 888在X1和A78内核之间共享了相同的电压轨。
从理论上讲，这可能意味着在更多的混合线程工作负载中，Exynos有机会获得比Snapdragon 888更高的电源效率。
总的来说，我希望人们明白的是，尽管三星称其为5nm节点，但可以肯定的是，它的性能不会与TSMC的5nm节点相同。通常，我们不太关心密度，但是性能和功率效率是影响芯片和最终产品体验的关键因素。
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