高通发布10nm骁龙835,华为麒麟960只称霸了一个月?

2016-11-18 10:46:00 来源: 互联网

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2016年11月17日,Qualcomm Incorporated(今日宣布,其子公司QualcommTechnologies, Inc.(QTI)和三星电子有限公司延续双方十年之久的战略性晶圆代工合作,将采用三星10纳米FinFET制程工艺打造QualcommTechnologies最新款顶级处理器——Qualcomm®骁龙™835处理器。

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在下一代顶级处理器中采用三星先进制程的决定,突显了Qualcomm Technologies作为移动平台技术领军企业的不懈努力。

Qualcomm Technologies. Inc.产品管理高级副总裁Keith Kressin表示:“我们非常高兴继续与三星合作,共同开发引领移动行业的产品。全新10纳米制程节点的采用,预计将使我们顶级系列的骁龙835处理器带来更低的功耗与更高的性能,同时也让我们能够增加诸多全新功能,从而提升未来的移动终端用户体验。”

今年10月,三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比,三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上,同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺,骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸,让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间,以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合,预计将会显著提升电池续航。

另外,消息表示骁龙835将支持全新的Quick Charge 4.0快充技术,最高功率可达28W,Quick Charge 4能在大约15分钟或更短时间内,充入高达50%的电池电量。通过Qualcomm Technologies的平行充电技术Dual Charge,与使用QC 3.0相比,用户可享受到高达20%的充电速度提升,以及高达30%的效率提升,同时还集成了对USB Type-C和USB-PD的支持。

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高通QC 4.0快充技术(图片源于网络)

早期也有消息称高通和三星合作,高通将下一代处理器全部交由三星代工,作为交换条件,三星下一代产品S8,半数以上需要使用骁龙835处理器。如今看来这个消息可信度很高,既然三星和高通已经达到深度合作的关系,相信下一代的Galaxy S8很有可能是首发搭载高通骁龙835处理器的手机。

目前基本已经确定三星将会在2017年2月份的MWC上发布这款旗舰产品——GalaxyS8,从时间上看,也符合骁龙835正式商用的日期。对如今的三星来说,S8无疑是决定命运的一款手机,期待三星能够为我们带来一款足够惊艳的Galaxy S8。

三星执行副总裁及晶圆代工业务主管JongShik Yoon表示:“我们很高兴有机会与Qualcomm Technologies进行密切合作,采用我们的10纳米 FinFET工艺生产骁龙835。作为我们晶圆代工业务的一项重要里程碑,此次合作显示了对于三星领先制程工艺的信心。”

目前,骁龙835已经投入生产,预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。骁龙820/21处理器已经拥有超过200款设计发布或正在开发中,骁龙835正是其后续产品。

高通这次没有披露具体架构,如果和文中一样,使用10nm的工艺较三星的14nm工艺,可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上,同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。那么使用和三星14nm相当的台积电 16nmFFplus工艺的Kirin 960在面世才一个多月,就已经被高通反超了。

所以高通骁龙又开始了屠榜了吗 ?

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