10nm良率噩耗 三星S8、骁龙835抱头痛哭

2016-12-26 18:30:00 来源: 互联网

上周,关于10nm工艺良率依旧不够理想的消息在媒体传开,据说影响到高通骁龙835、苹果A10X(新iPad)等一众新品。

10nm良率噩耗 三星S8、骁龙835抱头痛哭

目前外界普遍传言,三星确定在今年4月发布Galaxy S8,而不是2月底的MWC甚至1月的CES。

今天,业内人士Kevin王的笔记本称——

10nm良率噩耗 三星S8、骁龙835抱头痛哭

S8上市推迟到四月应该和10纳米工艺还不成熟有很大关系,目前两家做10纳米的良率都不咋样,10纳米可能和之前20纳米一样都是过度技术,还是16/14/12纳米的工艺更靠谱。”

这里的12nm来自台积电,今年11月首次曝光,据说就是第四代16nm的马甲(因为改良幅度达、漏电率低,所以就“文字游戏”……)。

按照三星的说法,其10nm的工艺已经推进到第三代LPU(LPE和LPP之后),不知道骁龙835最终量产发布后时是否会直接用上二三代。

去年,三星为抢14nm的首发,不惜直接用LPE做Exynos 7420,但好在遇上的对手是骁龙810,没有翻车。如果良率不能在明年春有效解决的话,那初期的S8肯定很难买。

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责任编辑:mooreelite
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