内存 Q4 需求旺,三星、SK 海力士有望受惠

2016-10-18 15:17:00 来源: 互联网

Hynix_2Gb_DDR2_DRAM111

笔电用内存需求动能强劲,甚至于 NAND 闪存已呈现缺货,让业界看好第四季 DRAM 与 NAND 闪存报价将大幅走扬,韩国三星与 SK 海力士有望受惠。

市调机构 DRAMeXchange 指出,个人电脑用 DRAM 合约价 9 月报 14.5 美元,上涨 7.4 个百分点,且拜全球笔电需求超出预期所赐,DRAMeXchange 看好 DRAM 第四季报价将冲到两年新高。(koreaherald.com)

NAND 闪存在此同时已有供给不足的状况,据 DRAMeXchange 预测,第四季嵌入式多晶片封装(eMCP)产品价格将上扬 10-15%。eMCP 可将 NAND 内存与其他芯片做整合。

据传,三星发展 64 层 NAND 闪存今年底将进入量产,其位在首尔南方 70 公里处的平泽厂(Pyeongtaek)已接近完工阶段,将成为扩充 NAND 闪存产能的即战力。另外,海力士也正积极扩充 NAND 产能,其股价 6 日早盘一度来到 2015 年 7 月以来新高。

(本文由 MoneyDJ新闻 授权转载)

延伸阅读:

如需获取更多资讯,请关注微信公众账号:半导体行业观察

责任编辑:mooreelite