美光首个 3D NAND 芯片送样,打破三星独霸局面

2016-10-18 15:19:00 来源: 互联网

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内存的 3D NAND Flash 大战即将开打!目前 3D NAND 由三星电子独家量产,但是先有东芝(Toshiba)杀入敌营,如今美光(Micron)也宣布研发出 3D NAND 芯片,而且已经送样,三星一家独大的情况将画下句点。

TechRadar、ComputerWorld 报导,美光 9 日宣布开发出该公司第一款 3D NAND 芯片,采 48 层堆叠,容量为 32GB。这款 3D NAND 将用于中高端智能手机,支持全新的储存标准 UFS2.1。

美光宣称,新品效能比前代提升 40%,尺寸更是业界最小,美光的 3D NAND 晶粒(die)比相同效能的平面 NAND 晶粒,体积缩小 30%。新品已送样给移动设备厂,预定今年底广泛出货。

美光移动业务部门发言人 Dan Bingham 说,该公司第二代 3D NAND 将为 64 层,研发时程尚未公布。为了支持虚拟现实和串流影片需求,移动设备的内存容量不断增加,美光预估,2020 年智能手机的内建内存或许会有 1TB,和电脑差不多。

霸荣(Barronˋs)9 日刊出 Pacific Crest 报告,内容预测 3D NAND 时代将要到来。报告称,英特尔、美光、SK 海力士(SK Hynix)、东芝、Western Digital 的 3D NAND 应该很快就会上市。估计第三、四季 3D NAND 产品将会大增。英特尔和美光的产品已经差不多就绪,东芝和 SK 海力士则可能在 Q4 出货。

Pacific Crest 认为,3D NAND 战役中,美光情势有利。该公司的 3D NAND 尽管层数较少,但是密度高,而且美光无可损失。

(本文由 MoneyDJ新闻 授权转载;首图来源:美光

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