来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）
编译自euractiv
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目前，高科技半导体的生产主要限于亚洲，但有八家半导体工厂正在筹建中，英特尔也希望在欧洲生产尖端芯片。
英特尔德国负责人Christin Eisenschmid在接受 EURACTIV 采访时表示，这些生产设施将使用“最新技术，即 2 纳米或更小”来生产半导体。
由于持续的半导体供应瓶颈给欧盟公司造成数十亿欧元的损失，欧盟委员会已宣布扩大欧洲产能是一项地缘战略必要性。
此外，它将2纳米标记作为扩大欧洲生产能力的目标，以避免在未来技术的竞争中落后。因此，英特尔的雄心壮志与欧盟的战略目标一致。
半导体被认为是数字化转型的支柱，最小的微芯片用于基于人工智能的应用、自动驾驶和物联网 (IoT) 等未来技术。
根据咨询公司 Kearney 的一项研究，未来几年欧洲对尖端半导体的需求将迅速增长——从目前的 19% 增加到 2030 年的 43%。同时，对半导体的整体需求也将超过一倍。
“因此，未来真正取决于新的处理器技术，”Eisenschmid 强调说。
在该领域领先数十年的英特尔现在已经将部分市场份额拱手让给了三星和台积电等能够生产更多创新产品的竞争对手。
“目前，英特尔无法生产最先进的尖端半导体，因为他们错过了向最新一代半导体的飞跃，”智库 Bruegel 的研究员 Niclas Poitiers 告诉 EURACTIV。
Poitiers 质疑英特尔能否在短时间内建成设想的生产设施。他补充说，在这种情况下，这家美国公司的公告也可以被视为“投资诱惑”。
面对越来越大的压力，英特尔在新任首席执行官帕特里克·盖尔辛格的领导下，开始了广泛的投资活动，以收复与竞争对手的失地。
周五（1 月 21 日），这家芯片制造商宣布计划在美国俄亥俄州投资约 200 亿美元，到本世纪末将增至 1000 亿美元。
关于美国的投资，英特尔补充说，其计划投资至少部分与政府提供的补贴水平有关。
英特尔还要求提供数十亿美元的补贴，以扩大其在欧洲的半导体工厂。其约 40% 的欧盟投资将由公共部门提供资金，相当于约 320 亿欧元。
“40% 大约是缩小与亚洲存在的融资缺口所需的金额，”英特尔德国负责人 Eisenschmid 说。
亚洲的生产和工资成本要低得多，而与此同时，亚洲国家也提供更高的国家补贴。
欧盟竞争事务专员玛格丽特·维斯塔格（Margrethe Vestager）已在 11 月警告说，国际层面可能会出现“补贴竞赛”。
Eisenschmid 认为，与 Vestager 的观点相反，这在欧洲更像是一场“争夺技术领先地位和竞争力的竞赛”，而不是一场补贴竞赛。
例如，与法国和意大利一样，德国是该投资的潜在候选国之一，他们已于 9 月宣布为半导体行业提供 30 亿欧元的补贴计划。然而，即使是欧洲最大的经济体也远未提供英特尔所需的 320 亿欧元——至少目前如此。
尽管这家美国公司打算在未来 10 到 15 年内分配投资，但提高所需金额仍会给欧盟成员国带来相当大的融资困难。
此外，欧洲国家援助法也可能构成障碍。尽管在所谓的“欧洲共同利益重要项目”（IPCEI）框架内的投资补贴原则上是可能的，但它们与相关投资的创新潜力相关。
由于欧洲旨在将芯片生产带回整个价值链以增强其主权，因此这些投资不仅仅基于创新，因此可能超出与 IPCEI 所需创新的联系。
然而，欧盟的一项新的法律法案可以纠正这种情况，因为欧盟委员会目前正在制定欧盟芯片法案，以将半导体行业带回欧盟。
欧盟委员会不仅为自己设定了到 2030 年将欧洲在半导体生产中的国际市场份额增加一倍以上达到 20% 的目标，而且还计划放宽对半导体行业的补贴规则。这可能为国家投资开辟新的回旋余地。
Christin Eisenschmid对任何情况都充满信心。她说，与各政府代表的讨论“非常有希望”。
“与我们合作并建立伙伴关系非常有兴趣，”她告诉 EURACTIV。
对决台积电2nm ，Intel 1.8nm制程找到三大客户
于先进制程上，台积电近几年如日中天，但亦别忘了Intel依然是最先进的半导体公司之一，未来四年其要掌握五代CPU制程，其中相当于1.8nm的18A制程将于2025年量产。
去年3月，Intel新上任的执行长Pat Gelsinger宣布了IDM 2.0战略，其中即包括大手笔投资新的晶圆厂，并快速升级CPU制程，分别是：Intel 7、Intel 4、Intel 3及Intel 20A、Intel 18A，其中前面三代制程仍是采用FinFET电晶体，从Intel 4开始全面拥抱EUV微影制程。
20A、18A制程中的A代表埃米，为首个进入埃米时代的制程，差不多等效于其它厂商的2nm、1.8nm制程，且20A开始放弃FinFET电晶体，拥有两项革命性技术：RibbonFET即是类似三星GAA环绕式闸极电晶体；PoerVia则首创取消晶圆前侧的供电走线，改用后置供电，亦可以优化讯号传输。
20A制程于2024年量产，2025年则会量产改良型的18A制程，此次会首发下一代EUV极紫外光微影机，NA数值孔径会从现在的0.33提升至0.55以上。更重要的是，Intel先进制程未来不仅是自己用，还要对外提供代工服务，要与台积电抢市场。
于最新财报会议上，Pat Gelsinger提及18A制程已经有三个客户，且是美国国防部主导的RAMP-C防御计划中的，具体名单目前保密。
预期Intel于2025年量产18A制程之时，台积电亦会进入2nm制程，此亦为台积电制程的一次重要升级，将推出Nanosheet/Nanowire的电晶体架构并采用新的材料。
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