【深度】安世股权转让:资本、企业、社会共赢的海外并购案

2018-04-28 14:00:41 来源: 老杳吧
1.安世半导体股权转让:资本、企业、社会共赢的海外并购案;
2.武汉烽火科技集团成立 拟用3年时间推核心芯片供给率逾30%;
3.合肥两项成果打破国际垄断;
4.肉眼可见的量子纠缠首次实现;
5.微电子所在新型硅基环栅纳米线MOS器件研究中取得进展
1.安世半导体股权转让:资本、企业、社会共赢的海外并购案;
5小时300轮报价,114.35亿元落锤。本周,备受资本圈与半导体产业圈关注的“安世半导体部分投资份额退出项目”落下帷幕,最终由闻泰科技控股的合肥中闻金泰半导体投资有限公司以及云南省城市建设投资集团有限公司和上海矽胤企业管理合伙企业(有限合伙)组成的联合体竞价胜出,并获得了该部分份额。

此次拍卖意义重大,不仅实现了安世半导体投资资本与产业资本的又一次重要结合,而且短短两年时间内实现了投资人高回报、企业健康高速成长、社会价值意义重大等多重共赢结果。

有行业人士在评价此案例时说道:“整体看,在近几年中国资本掀起的海外并购潮中,真正完成从并购、交接、运营、再交接的整个过程的项目不多。安世半导体并购案可以说已经成为中国资本海外并购的成功典范。这背后主导者建广资产功不可没!”

投资人高回报

2016年6月14日,NXP半导体标准产品事业部被建广资产(JAC Capital)以27.5亿美元全资收购,除了设计部门,该交易还包括恩智浦位于英国和德国的两座晶圆制造工厂和位于中国、马来西亚、菲律宾的三座封测厂,以及位于荷兰的恩智浦工业技术设备中心,及标准产品业务的全部相关专利和技术储备。

在建广资产的主导下,合肥芯屏产业投资基金也产业进入该项目,并且以约10亿美金出资金额成为了该项目的最大单一股东。

此次拍卖前,合肥芯屏产业投资基金首先对其投资份额进行拆分,拿出其中自用拥有的约50亿人民币份额进行转让。转让底价高达人民币70亿元。

不过,令人意外的是如此巨额的交易依然引来各方产业资本的竞标。据透露,在短短5个小时内,各方举牌报价达到300次,最终以114.35亿元落锤。这一价格不仅远高于拍卖低价,而且相比当初投资金额增幅高达131.66%,不到两年时间净赚超64亿元。

事实上,受让方三方联合体主导者闻泰科技也是高溢价背后的受益者。闻泰科技的控股股东闻天下投资也曾投资参与了收购安世半导体项目,当时出资金额约为2亿美元,为安世半导体的重要投资人之一。

作为一家资产管理公司首要任务是为股东创造高额的价值的投资回报,这这笔交易中建广资产让包括受让方在内的所有参与者都获得利益。做到这一点值得点赞。

企业健康高速成长

分析高额溢价竞标的背后,笔者认为建广资产至少有两点非常值得大家学习。

第一、标的的选择与交接

过去几年,很多海外并购都被限制,甚至被点名批评。而建广资产的定位是专注于集成电路产业与战略新兴产业投资并购的资产管理公司。

此前建广资产专家表示,根据调研发现,新兴产业的投资回报率和增长速度都是传统行业的2倍,所以建广资产就选择投资新兴的科技产业。这里面半导体、新材料、设备、高端装备制造硬件相关的产业,具有高技术、高门槛,同时又是我们国家有战略需求,且差距大的行业。所以具体就在这些领域寻找投资标地。

同时,他们认为,所有的投资项目既要有市场需求,也要结合经济效益,拥有一定市场占有率才有意义。

从这一点看,安世半导体完全符合以上标准。该前身为NXP半导体标准产品事业部,公司专注于分立器件、逻辑器件及MOSFETs生产销售,应用领域包括汽车电子、工业控制、电信通讯、消费电子等。恩智浦的标准产品客户数量超过2万家。

从细分市场的全球排名看,安世二极管和晶体管排名第一,逻辑器件排名第二(仅次于TI),ESD保护器件排名第二,小信号MOSFET排名第二,汽车功率MOSFETs排名第二(仅次于英飞凌Infineon)。

另外,相比近年来国内收购海外科技公司遭到先关国家政府阻挠不同。当初,安世半导体项目仅在半年多时间里,就获得中国商务部、美国联邦贸易委员会(FTC)、欧盟委员会(EC)等国内外主要国家的反垄断审查,通过了严苛的美国外国投资委员会(CFIUS)等审查,并获得了国家多部委的积极肯定和大力支持。

能做到这一点,说明建广资产在与客户的沟通、合规、守信等方面做得相当出色。

第二、重视投后管理

项目的优质并不意味着收购回来能赚钱。本次溢价转让的核心关键是安世半导体的业绩。

据合肥芯屏产业投资基金披露的数据显示,该项目在2017年2月交割完成后,各项业务仍保持稳健增长。销售收入从2015年的10.3亿美元增长至2017年(2月-12月)近12.88亿美元,其中欧洲、中东和非洲地区占比约31.52%,大中华区占比约30.75%。

EBIT(息税前利润)从2015年的2.33亿美元增长至2017年(2月-12月)近3.27亿美元。2017年12月末标的企业总资产34.25亿美元,在职员工约1.15万人。近日广东新增封测生产线,使安世半导体全年生产总量超过1000亿颗稳居全球第一。

资产管理并不是有钱就能随意买卖,并购是一个相当复杂的流程。业内专家曾表示,如果以工作量判断,谈判是1,整个的交割就是10,而投后管理是100。投后管理非常重要,这其中有很多文化差异、法律差异、制度差异等。

据了解,建广资产在投后管理上做了大量的工作,包括建立了完备的高管团队、单个项目推动推动做产业链的建设、充实上下游形成全产业链的竞争力。

社会价值意义重大

不管从行业地位、技术实力、人才队伍方面看,安世半导体在行业都是屈指可数的佼佼者。当前中国正在进行产业升级转型,这样优质的资产对中国经济未来发展至关重要。

目前,安世半导体(中国)有限公司是安世半导体最大的装配与测试工厂,位于广东省东莞市黄江镇。占地面积约为100,000平米,现有雇员4000人。成为全球最大的半导体生产中心之一。2018年3月6日,安世半导体宣布其设在广东东莞的新分立器件封装测试工厂正式投产。新工厂拥有超过1500台以上的半导体设备,年产量达到900亿件分立器件,每秒生产2000件以上,产能增加50%。

手机中国联盟秘书长王艳辉曾表示,成功收购恩智浦的标准产品业务,对于整个中国半导体行业具有空前的意义,这是中国资本第一次买到国际一流公司的核心技术及其优质资产,填补了我国在该领域高端芯片及器件的技术空白。

从建广资产官网可以看出,目前公司布局投资项目覆盖全球各类项目,已先后投资于数十家企业。除安世半导体外,还包括全球领先的高性能射频功率放大器厂商、世界领先的液压油缸制造企业、国内自主研发的高性能图像传感器芯片领先企业、国际领先、国内知名的专业存储技术高新技术企业、国际领先、国内最先进的静电保护设计企业、国内领先的硅基光电集成芯片开发高科技企业等。这些都是高精尖,关系到国家科技实力发展、具备核心竞争力的项目。

总之,在当前中国资本海外并购半导体企业总体不顺的情况下,安世半导体完整的成功案例值得各方学习借鉴。
2.武汉烽火科技集团成立 拟用3年时间推核心芯片供给率逾30%;
《新华网》报导,国家信息光电子创新中心在武汉烽火科技集团正式挂牌成立,其承担为信息光电子产业造「中国芯」的国家使命,拟用3年时间急起直追,建成国际一流的信息光电子制造业创新平台, 推动核心光电子芯片的行业供给率超过30%。

中心将采「公司+联盟」模式,实行股权制管理,据报核心股东均为其领域排头三的企业。

中兴通讯(遭美国下禁令,董事长承认公司即入「休克状态」,揭示中国缺乏「中国芯」。
3.合肥两项成果打破国际垄断;
近年来,合肥集成电路产业发展势头强劲,短短几年,就建成了一条较为完整的产业链。我市一家企业自主研发出的 12 英寸单晶硅棒和生产硅棒最核心的设备——大尺寸单晶硅炉两项成果,打破了国际垄断,填补了国内产业空白。
单晶硅棒是制造芯片的原材料,目前我国 8 英寸单晶硅棒 90% 靠进口,12 英寸单晶硅棒更是被国外垄断,完全依赖进口。令人兴奋的是,位于合肥市新站高新区的安徽易芯半导体有限公司历时 8 年自主研发了 12 英寸单晶硅棒,填补了国内集成电路产业空白。不但如此,安徽易芯研发的大尺寸硅棒经过切片、研磨等 40 多道工序之后,形成的硅片更是达到了国际领先水平,实现了 12 英寸电子级单晶硅片的国产化“零突破”,填补了国内空白。
在安徽易芯的单晶硅棒生产车间,8 台 12 英寸的单晶硅炉正在运转,这个车间虽然看上去不大,但已是目前国内体量最大的 12 英寸单晶硅棒生产基地,而这些设备的核心技术也是安徽易芯自主研发的,同样打破了国际垄断。
大尺寸单晶硅棒和单晶炉作为原材料和制造设备,属于集成电路产业链的上游,对整个行业起着支撑作用,一直是国内在集成电路产业上比较薄弱的环节。记者从新站高新区了解到,如今安徽易芯在这两大技术难题上均取得突破,这也意味着我国集成电路产业取得了突飞猛进的进步。
近年来,合肥坚持以科技创新为引领,紧紧抓住战略性新兴产业发展机遇,突出重点、聚焦资源,努力将集成电路产业打造成一个提升我市综合竞争力的核心产业。目前,我市拥有集成电路企业 129 家,其中设计企业 102 家、制造企业 3 家、封测企业 8 家、设备和材料企业 16 家。
如今,在合肥集成电路产业的龙头企业不断集聚,排名全球前五的晶圆代工企业力晶科技,国内外设计业龙头联发科技、群联电子、兆易创新、君正科技等企业先后落户合肥,其中销售收入超亿元企业有五家。
在面板驱动芯片领域也集聚了墩泰科技、集创北方、中电精显、宏晶、龙讯等企业;在家电芯片领域集聚了君正科技、矽力杰等企业。此外在存储、汽车电子、电源芯片等领域也有一些企业布局。合肥,目前已成为全国集成电路产业发展最快、成效最显著的城市之一,跃升成为国内集成电路产业的“后起之秀”。 合肥晚报
4.肉眼可见的量子纠缠首次实现;
两个科研团队在26日出版的《自然》杂志上撰文指出,他们分别让仅为蜘蛛丝直径几倍的成对振动铝片、宽度可伸缩硅制梁发生了纠缠,将量子纠缠扩展到肉眼可见的领域,且纠缠时间更长,向构建量子互联网又迈出了一步。

量子纠缠是量子力学的一个特性,指两个物体的属性相互交织,测量其中一个属性会立即揭示另一个的状态,即便两者距离遥远。但量子力学通常适用于原子、电子等微观粒子,而不适用于人们日常所见的较大物体。

芬兰阿尔托大学物理学家米卡·西兰帕的团队在实验中,让两个肉眼几乎可见、直径为15微米的圆形振动铝片发生了纠缠。每块铝片由约1万亿个原子组成,其像鼓面一样振动,并与在微腔内来回跳动的微波相互作用,微波就像乐队指挥,使两个鼓面的运动保持同步。

在以前的许多纠缠演示中,量子纠缠持续的时间较短,但新实验获得的量子纠缠持续了30分钟。西兰帕表示,这一量子纠缠理论上可以持续更长时间,“甚至永远进行下去”。

奥地利维也纳大学的洪孙坤(音译)团队,也在实验中让15微米长的、部分宽度可伸缩硅制梁发生了纠缠。但他们没有使用微波,而是另辟蹊径,使用通常在光纤电信网络中传输的红外光。

洪孙坤说:“这是首次展示人造机械系统的纠缠,也是首次在人类制造的肉眼可见的结构中看到量子纠缠。”

研究人员表示,让这些特制结构发生纠缠,意味着距离实现量子互联网更近了一步。而量子互联网一旦建成,可让量子计算机在全球范围内提供不可破解的通信。(记者 刘霞) 科技日报
5.微电子所在新型硅基环栅纳米线MOS器件研究中取得进展
近日,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在面向5纳米以下技术代的新型硅基环栅纳米线(Gate-all-around silicon nanowire,GAA SiNW)MOS器件的结构和制造方法研究中取得新进展。
5纳米以下集成电路技术中现有的FinFET器件结构面临诸多挑战。环栅纳米线器件由于具有更好的沟道静电完整性、漏电流控制和载流子一维弹道输运等优势,被认为是未来可能取代FinFET的关键架构之一。近年来,将理想环栅纳米线结构和主流FinFET工艺结合发展下一代集成技术已成为集成电路深入发展的研发关键热点之一。
如图1所示,目前国际报道的基于主流高k金属栅FinFET制造工艺形成堆叠纳米线器件的研发有两种不同方案:堆叠纳米线(SNW,IMEC)和堆叠纳米片(Nanosheet,IBM)技术。上述方案都需要在普通硅衬底上外延生长高质量的多层GeSi/Si结构,并在高k金属栅取代栅工艺中选择腐蚀GeSi或Si,最终在沟道中选择形成堆叠纳米线而在源漏中保持Fin结构。该技术在集成电路大规模制造中存在许多潜在的挑战: 须生长高质量、接近体硅质量无缺陷的多层GeSi/Si外延层;由于Ge元素在最前道集成步骤中引入,给后继工艺带来较低的工艺温度窗口限制以及较多的Ge原子沾污机会。
针对上述纳米线晶体管架构在集成电路发展应用中所面临的难题,微电子所研究员殷华湘带领的团队提出在主流硅基FinFET集成工艺基础上,通过高级刻蚀技术形成体硅绝缘硅Fin和高k金属栅取代栅工艺中选择腐蚀SiO2相结合,最终形成全隔离硅基环栅纳米线MOS器件的新方法。并在取代栅中绝缘硅Fin释放之后,采用氧化和氢气退火两种工艺分别将隔离的“多边形硅Fin”转化成“倒水滴形”和“圆形”两种纳米线结构。
由于在该方法中,纳米线沟道由单晶硅衬底制作形成,导电沟道中材料晶格缺陷更少、界面质量更高。两种高k金属环栅纳米线晶体管都表现出很好的器件特性,其中通过氧化制备的“倒水滴形”环栅纳米线晶体管在16nm物理栅长(对应5nm及以下技术代)下,获得器件亚阈值特性SS = 61.86 mV/dec 和DIBL = 6.5 mV/V,电流开关比大于1E8。SS和DIBL十分接近MOSFET的理论极限数值(60mV/dec和0 mV/V),远超以往同类工艺制造的FinFET性能参数,也达到目前同类器件所报道的最高水平。
同时,该类器件结构也可以通过同样的方法在多步刻蚀和取代栅工艺中制作成多层堆叠纳米线,该项研究工作正在进行中。这种不同于现有国际报道的制造方法具有完全自主知识产权,可为未来我国集成电路下一代关键技术的创新发展提供核心器件架构和制造工艺开发的多样选择。该工作以《通过一种先进工艺形成具有优异短沟道控制能力的新型p型环栅纳米线场效应晶体管》为题发表在国际微电子器件期刊《IEEE电子器件快报》上(IEEE Electron Device Letters,DOI: 10.1109/LED.2018.2807389),并被选为该期期刊首篇论文。
该项研究得到国家科技重大专项02专项和国家重点研发计划等项目的资助。(来源:中国科学院网站)
图1. 集成电路核心MOS器件结构发展趋势
图2. 研制的全隔离硅基环栅纳米线MOSFET结构与电学特性 中国测控网

文章来源:http://laoyaoba.com/ss6/html/38/n-670738.html

责任编辑:星野
半导体行业观察
摩尔芯闻

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