赵伟国：中国存储芯片产业自主发展的紫光之路

来源：内容由 国君电子 王聪/张天闻 整理，谢谢。

紫光进入3D NAND存储芯片的原因有以下几点。 首先存储是兵家必争之地，从历史来看，日韩的集成电路产业都是从存储开始的。其次存储市场规模大，去年增长20%， 主要由存储芯片的高速增长尤其是价格增长导致，下游价格上涨是由供应不足与需求增长导致，移动互联的发展和数据中心的增加使存储需求日益旺盛，其中DRAM价格上涨较多，主要是近年手机扩容使其需求增加所致。另外， 与CPU不同，存储是标准产品，一旦技术实现突破便容易进入市场， 而3D NAND增长又高于DRAM。最后， 从时间差距上，不同于DRAM，3D NAND至今发展历史很短，实现追赶相对容易。

我一直强调存储芯片产业的四个特点：资本密集、人才密集、技术密集、全球竞争。 紫光是如何做得呢？ 一是借鉴其他企业的历史， 看三星、东芝、美光、海力士这些公司的成长历史，寻求其发展过程中的规律和关键因素。如何让市场、资本、人才三要素聚集起来？ 可以总结为三句话，国家战略推动，各地政府大力支持，企业市场化运行， 这一思路获得了中央和地方政府的高度支持。有了思路如何解决人才来源？产业、技术都与人有关， 紫光目前有高启全，杨士宁，和最近加入的来自美光的科学家汤强。 2015年时决定存储要做3D NAND，业内做DRAM的只有3家，三星、海力士、美光，近年中国科技崛起后，美国、日本、韩国的一些技术公司对华人任职核心技术岗表现出敏感甚至排斥，为国内企业提供了人才替代机会，紫光让英雄有用武之地。 技术来源方面，中科院微电子所和国家重大专项对紫光3D NAND研发给予了大力支持，另外，武汉新芯的技术和海外人才团队积累带动了长江存储的发展。 通过在武汉和南京江北新区和程度筹划基地，三个基地投入资金约1800亿，另外与重庆市、国家大基金共同发起紫光国芯集成电路股份有限公司，注册资本1000亿，在此基础上有望再撬动900亿元， 合计3700亿，足以保证未来5年投入， 而要想进入占全球份额五分之一到四分之一的第一梯队，每年需要投入100亿美元。目前较有把握在10年内完成1000千亿美元的资本积累。由于在研发过程中要不断与下游进行测试， 在15年已规划好初期市场――紫光展锐和紫光H3C， 紫光展锐致力于移动通信与物联网领域芯片，紫光H3C从事云服务和数据中心，具备初期市场是紫光研发进展快、市场竞争力强的原因。

最后，要有冷静的战略心态和顽强的战略耐力，腿要快，心要静，眼要明，争取五年有所成就，十年站稳脚跟。

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