[原创] Intel高管谈未来:5nm采用新晶体管?

2019-11-05 14:00:08 来源: 半导体行业观察
来源:本文由公众号半导体行业观察(ID:icbank)翻译自「 barron 」,作者:Tae Kim,谢谢。

英特尔在过去两个季度的强劲收益报告中均处于火爆状态。但是,这家芯片制造商正面临着来自Advanced Micro Devices(AMD )和 台积电 (TSA)的日益激烈的竞争 。

尽管如此,该公司的首席财务官仍然认为,英特尔已做好应对新挑战的有利条件,这给该芯片制造商带来了光明的未来。

10月下旬,英特尔报告了9月份季度收益,超出了华尔街的预期。该公司报告调整后的第三季度每股收益为1.42美元,而华尔街的平均预期为1.23美元。收入192亿美元超出预期的181亿美元。此外,这家芯片制造商的2019年指导方针超出了华尔街全年的预期。

当时,英特尔还表示,其云计算客户的需求有所改善。九月份季度,其云计算部门的销售额同比增长了3%,而上一季度则下降了1%。
上周五,今年4月被任命为英特尔首席财务官的乔治·戴维斯(George Davis )被巴伦(Barron)的办公室停下来,并为该公司令人振奋的未来打了基础。
这是我们对英特尔高管采访时的剪辑稿:
问:英特尔的云计算业务在9月份季度有所改善。但是自该报告发布以来,我们已经有了几个与软云相关的数据点-包括 Arista Networks 糟糕的指导以及 Facebook 的 资本支出预测低于预期。这些公告使您感到惊讶吗?
戴维斯(Davis): 我无法对任何一个特定客户和那里的特定需求发表评论。Facebook(FB)可以说他们想要的任何内容。
但这不会改变我们对下一季度前景的看法。我们与整个生态系统有着密切的联系。我们试图从与客户直接进行的讨论中反映出最佳估计。
问:英特尔的毛利率同比大幅下降。您如何看待未来每2到2.5年的新制造节点节奏产生的毛利率?[英特尔已经表示打算以更快的速度转向下一代芯片制造技术]
戴维斯(Davis): 我们仍然热衷于毛利率。从资本效率到我们设计产品的方式,无所不包。
不过,我们所说的10纳米的延迟意味着一段时间内我们在单位成本上将处于不利地位。实际上,我们为2021年的毛利率提供了指导,以帮助人们了解
2023年是我们最终的指导时期,那时我们将看到非常强劲的收入增长和利润率扩张。我们必须度过这个时期,因为我们没有在所处的节点上对10纳米进行一些后期调整,因为我们没有对它进行优化。
但是,到那时,我们将在下一个节点上进行为期两到两年半的节奏。因此,我们正在增加7纳米的支出,该支出将于2021年下半年开始,因为我们认为竞争是正确的做法。
因此,我们现在进行的投资使我们的效率降低了一点,并体现在了毛利率上。
问:我的行业联系人说,AMD的新罗马服务器芯片在客户中获得了良好的吸引力。您能否评论未来几年与AMD的芯片阵容和台积电的芯片制造技术相比的竞争格局?
戴维斯(Davis): 我们说过,我们预计在未来18到24个月内将加剧竞争。我们的观点反映了这一点。自从我们在5月份做出了长期预测以来,我们对竞争和影响的性质的看法并没有真正改变。
问:对于英特尔未来几年的未来技术,您最兴奋的是什么?大技术趋势是什么?
戴维斯(Davis): 我对AI感到非常兴奋。AI的发展将反映出向5G转移的所有用例以及设备之间的信息量。
让我举个例子。Mobileye(英特尔于2017年收购了Mobileye。该公司设计基于视觉的高级驾驶员辅助芯片和系统)既涉及出色的硬件技术,也涉及非凡的软件。我们正在投入大量资金,而且很快就被采用了,以至于在短期内这实际上是一个诱人的回报,而从长远来看却是非常诱人的。
如果您在第二级和第三级[自动驾驶]上赢得设计大奖,那么Mobileye在全球处于领先地位。
问:人工智能呢?
戴维斯(Davis): 英特尔具有的竞争优势之一是将AI嵌入到至强处理器里。考虑到我们在其中添加的功能,您可以得到9倍于竞争对手的功能,这是因为它已经过优化,并且我们已经这样做很长一段时间了。
人工智能尚处于发展初期。我们有多个赌注,因此我们从多个角度进行研究。能够查看哪个投资组合的解决方案对我们的客户更有价值。

英特尔首席执行官谈未来规划


回到Bob Swan和10nm,7nm,5nm和3nm。 在最近的电话会议中,鲍勃提到英特尔将重返Tick-Tock两年的计划,其中Tick是一个新制程,Tock是一个新产品架构。 以下是鲍勃评论:


英特尔10纳米产品时代已经开始,我们的新型第10代Core Ice Lake处理器正在引领潮流。 在第三季度,我们还交付了首批10纳米Agilex FPGA。 到2020年,我们将继续通过激动人心的新产品扩展我们的10纳米产品组合,这些新产品包括AI推理加速器,5G基站SoC,用于服务器存储和网络的至强CPU和独立的GPU。 本季度,我们实现了首个独立GPU DG1的推出,这是一个重要的里程碑。


按原定按计划,我们将在推出10纳米两年后,也就是2021年推出首款基于7纳米的GPU,这是一个面向数据中心的独立GPU。 当然,我们还在5纳米的工程路线上走得很好。


回到分析日,我们尝试了很多细节,其中之一是我们从10挑战中汲取的经验教训,以及我们在思考时如何捕捉这些经验教训接下来的两代人。 但是首先,我们现在的关注点和精力在扩展10纳米 左右。


而且,正如我们所说,在过去六个月中,我们对现有产能,即将投入生产的产品以及正在实现的收益感到非常满意。 因此,对于10纳米,我们感觉真的很好。


其次,当我们将设计规则应用于7纳米时,我们在密度方面不那么积极。 我们从14nm到10nm的学习是有后见之明的,那时我们试图以2.7的比例进行扩展,这就导致最终在工厂环境中投入了太多的发明或革命性的节点,而无法满足此类要求。 我们从中吸取教训是,当您注意到动态变化变得越来越具有挑战性时,我们无法达到那些真正激进的目标。 从10nm中,我们学到了很多东西。 我们过渡到10nm,我们将其纳入7nm,设计规则减少了复杂性,并且在最近几年中,我们一直在投入EUV。


光刻是挑战。 我们已经使用了几年的EUV,并且我们希望在规模达到7nm时使用EUV。 我们表示,我们的第一个产品将在本季度起两年后使用。 因此,到2021年第四季度,我们的首款7纳米产品将会问世,我们的期望是,我们将从7nm以后的产品中恢复两年的节奏。 我们已经从10纳米中学到了很多东西,我们在5月份就说了,今天我们重申了这一点,我们希望至少可以回溯到两年到两年半的节奏。 接下来的几个节点。


Bob Swan强调,英特尔的底线是在没有EUV的10nm工艺上拥有2.7倍的缩放率,设计规则对于工艺成熟度而言过于复杂。 经过四年的延迟,Intel 10nm终于进入了HVM,而7nm也在顺利进行中。 EUV在台积电(TSMC)的HVM中,台积电(TSMC)进行了繁重的EUV提升,因此我有信心英特尔有望在2021年2H获得7nm工艺。


英特尔7纳米将为FinFET,但英特尔5纳米将为(horizontal nanosheets)和英特尔3纳米CFET。 绝对是英特尔未来的有趣时刻!

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