台湾:力争2030年前量产1nm以下工艺

2021-04-16 14:00:27 来源: 半导体行业观察

来源:内容来自「 联合报 」,谢谢。


中国台湾相关部门昨举行院会由科技会报办公室报告「美中科技战下台湾半导体前瞻科研及人才布局」,苏贞昌昨表示,需提早布局扩大台湾产业优势;行政院科会办说,将提前布局十二吋晶圆制造的利基设备,期望在2023年前,生产小于一纳米的半导体,也要掌握关键化学品自主、确保材料优化参数不外流,并建立在地战略供应链。

政府发言人罗秉成会后转述指出,苏贞昌表示,台湾早已成为全球第一的半导体聚落,未来要如何维持及扩大供应链优势、确保产业人才供应无虞,都需提早布局。

以台积、日月光为核心打造南部半导体S廊带


美中贸易冲突升温,为强化、维持台湾半导体优势,行政院科技会报办公室昨(15)日表示,将朝「设备」及「材料」两方向着手,协助台湾厂商提前布局12吋晶圆制造利基设备,并正在规划推动高雄半导体材料专区,以建立南部半导体材料「S」廊带。


美中贸易战、科技战持续升温,在车用芯片荒后,美国政府更加重视半导体产业;美国总统拜登执政后,前联邦参议员陶德率团访台,昨日会见台湾地区领导人,提及要加强台美多方合作。而行政院会昨天也特别安排科会办就「美中科技战下台湾半导体前瞻科研及人才布局」进行报告。

科会办指出,近来半导体产业从材料、设备、技术、芯片及产能都已成国际竞合焦点;美国拟以500亿美元扶植芯片制造业、限制半导体技术与设备输往中国大陆;大陆也不甘示弱宣布投入第三代半导体研发;欧盟则有意抢进芯片制造市场等。

2030年半导体世代为超摩尔定律时代,IC应用迈向多元化与极致效能,更进一步跨向「 (埃)尺度」(1nm)。

科会办表示,台湾要从制造、人才、技术与资源三方向突围,扩大台湾半导体供应链优势。

在产业层级,政府将持续壮大串联西部硅谷带半导体产业聚落,扩大代工制造竞争优势;国家层级,要确保半导体人才供应,例如透过「创新条例」立法,催生半导体学院;全球层级,则透过设备及材料两方向,掌握战略资源与技术。

在设备面,要协助台湾厂商提前布局12吋晶圆制造利基设备,朝向化合物半导体发展,盼在2030年之前能生产「埃」尺度半导体;于材料面,掌握关键化学品自主、确保材料优化参数不外流,并建立在地战略供应链。

材料方面,则规划推动高雄半导体材料专区,要串连南科、路竹、桥头、楠梓、大社、仁武、大寮、林园、小港(大林埔)等园区,以台积电、日月光、华邦、稳懋等半导体厂为核心,建立南部半导体材料「S」廊带。

科会办表示,科技部也逐步更新科学园区标准厂及开发新设园区,例如今年起至2035年,投入272.57亿元经费更新竹科第三至五期标准厂房。

预期效益,包括厂房单元数可从88提升至196单元,总楼地板面积从5.3万多平方公尺扩增至36.6万多平方公尺,预计可引进5,848就业人口、创造年产值411.82亿元。

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