Nexperia第二代650 V氮化镓场效应管使80 PLUS®钛金级电源可在2 kW或更高功率下运行
2021-04-27
09:20:13
来源: Nexperia
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功率GaN解决方案可以减少器件数量、缩小外形尺寸并降低系统成本
奈梅亨，2021年4月27日：基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS)，特别是必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。
全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封装，对于给定RDS(on)值，芯片尺寸缩小36%，具有更好的稳定性和效率。级联配置无需复杂的驱动电路，加快了产品上市速度。该器件在硬开关和软开关电路中均具有出色的性能，为设计人员提供极大的灵活性。
Nexperia GaN战略市场总监Dilder Chowdhury解释说：“钛金级是80 PLUS®规格中最严苛的，满载条件下要求达到>91%的效率（半载条件下>96%）。对于2 kW及更高功率的服务器电源应用，使用传统硅器件来实现这种性能水平，电路设计复杂而具有挑战性。Nexperia新的功率GaN FET非常适合简洁的无桥图腾柱PFC电路，使用更少的器件，并能减少尺寸和系统成本。”
Nexperia GAN041-650WSB GaN FET现已大量供货。
欲了解更多信息，包括产品数据手册和快速学习视频，请访问https://www.nexperia.com/products/gan-fets.html。
设计人员可以在5月3日至7日举行的PCIM Digital Days期间访问Nexperia的展区，了解Nexperia GaN FET的实际应用。https://pcim.mesago.com
关于Nexperia
Nexperia，作为生产大批量基础半导体器件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面获得行业广泛认可，拥有先进的小尺寸封装技术，可有效节省功耗及空间。
凭借几十年来的专业经验，Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，拥有庞大的知识产权组合，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。
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