SiGe 速率升级
不容错过!SiGe锗硅工艺流片接单进行中!
由于受硅材料固有特性的限制,基于硅工艺的器件速度已经接近到物理极限,进一步提升器件速度并保持线性特性变得十分困难。而SiGe由于其独特的物理性质和重要的技术应用价值,逐渐在电子和光电子半导体器件中得到广泛的应用。
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前传从6G/10G向25G升级;
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中传以50G/100Gbit/s速率为主;
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回传光模块逐渐以100G//200G/400Gbit/s速率为主。
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应用于光通信方向都是在SiGe 搭配CMOS器件180nm节点,性能优异。
摩尔精英流片服务方案
产品/应用 | 节点 | 阶段 |
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TIA单波100G |
180nm
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生产中
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CDR |
180nm
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生产中
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50-100GHz的光模块芯片
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180nm
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量产
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高速ADC
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180nm
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全掩膜
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提供工艺选择的相关资料(工艺覆盖0.35um-8nm)
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帮助选择合理及正确process devices 和 production mask
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协助客户完成 Tape-out 流程
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跟踪并保障Fab out schedule
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提供晶圆生产inline测试报告
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提供完整的晶圆物流及交货服务
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关于摩尔精英
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