铠侠发表公告：闪存产线受污染，生产中断

2022-02-10 14:00:41 来源: 半导体行业观察

点击

来源：内容来自半导体行业观察（ID：icbank）综合，谢谢。

铠侠（前东芝）和西部数据报告说，未指明的污染问题已经影响了他们的几个联合 NAND 生产工厂，西部数据表示这些问题影响了高达 6.5 艾字节的闪存。

作为拥有 20 年历史的合资企业的一部分，铠侠和西部数据经营着多家 NAND 生产工厂。其中位于日本的四日市和 Kiakami 工厂都受到了污染，导致生产中断。

铠侠的声明称，该问题影响了其 3D BiCS 闪存的生产，该产品用于各种 SSD 和其他产品，并希望“早日恢复正常运行”，这意味着生产已经停止。该公司没有说明其产能受到了多少影响。

西部数据的声明提供了更多细节，称该问题将使其产量“至少”减少 6.5 艾字节。两家公司都没有给出完全恢复生产的确切时间表。然而，鉴于 3D NAND 闪存的周期时间长（完成一个 3D 闪存芯片可能需要两到三个月的时间），任何中断仍将在生产重启后的几个月内产生影响。

我们要求提供更多信息，但西部数据拒绝提供任何进一步的细节。因此，目前尚不清楚是否有任何受污染的 NAND 已经在产品中发货，这最终会导致召回。

从角度来看， 2021 年第二季度消费者和企业 SSD 的累计出货量为66.83 EB，分布在大约 1 亿个 SSD 上。

四日市工厂拥有六家工厂，占地 694,000 米，员工 6,300 人。北上工厂由几家工厂组成，新的 K2 制造工厂正在建设中，将增加 136,000 平方米的生产空间。

NAND闪存市场中企紧追美日韩

市场调查机构Omdia 26日公布的数据显示，今年第三季度三星电子在全球NAND闪存市场中的占有率为34.5%位居榜首，前六位全部被美日韩企业包揽，今年增长势头强劲的中国长江存储紧随其后。

韩联社报道称，三星电子自2002年夺得世界NAND闪存市场冠军后，已连续20年位居榜首。目前全球NAND闪存市场呈现“多头竞争”态势，日本铠侠占据全球市场第二位（19.5%），其后依次是SK海力士（13.6%）、西部数据（13%）、微软（9.9%）和英特尔（5.9%）。随着中国市场监管部门最近批准SK海力士收购位于大连的NAND闪存制造工厂，其市场份额未来有望超过日本铠侠跃居全球第二。

韩国半导体业内人士表示，全球NAND闪存市场中，短期内三星电子的头部地位很难动摇。值得注意的是被称为“中国半导体航母”的清华紫光旗下长江存储表现强势，其今年第三季度NAND闪存业务销售额达4.65亿美元，市占率为2.5%，一年内增长三倍以上。目前中国约占全球NAND闪存市场总份额的37%，已经超过美国（31%）位居全球第一。但中国在该领域供给产能不足，仅占全球4%。

★ 点击文末【阅读原文】，可查看本文原文链接！

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第2947内容，欢迎关注。

铠侠发表公告：闪存产线受污染，生产中断

相关文章

最新新闻

热门文章本日 七天 本月

热门评论

热门搜索

铠侠发表公告：闪存产线受污染，生产中断

相关文章

最新新闻

热门文章 本日 七天 本月

热门评论

热门搜索

热门文章本日七天本月