新微半导体推出IPD IP2AB11工艺制程，丰富射频产品工艺选择

2023-03-01 16:44:50 来源: 上海新微半导体有限公司

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2023年2月28日，上海新微半导体有限公司（简称“新微半导体”）宣布，基于砷化镓（GaAs）材料的IPD（Integrated Passive Devices）集成无源器件IP2AB11工艺制程开发完成，达到量产标准。该制程具备的低成本、小型化、高Q值和高可靠性等性能优势，满足当前市场对射频前端功能不断优化的要求，从而实现如微波滤波器、功率分配器、耦合器、双工器、放大器内匹配与偏置网络等多种无源电路的小型化与高密度集成，可广泛应用于通信基站、微波和毫米波通信等应用领域。

IP2AB11工艺制程使用双层金属互连线，其中第二层金属厚度为4μm,采用有利于高频设计的空气桥工艺，可以有效减少交叉线间的耦合并降低对地寄生电容。

IP2AB11工艺制程关键参数

IP2AB11工艺制程横截面图

IP2AB11工艺制程典型无源元器件示例图

随着微电子技术不断发展，电子产品对于SWaP-C（Size Weight and Power – Cost)要求日新月异，IPD技术是一种具有高Q值、低损耗特征的射频集成电路技术，既可以作为无源模块单独使用，集成到射频设备或系统中，也可以集成有源器件形成更为复杂功能模块，满足专用电路的设计需求。

关于我们

上海新微半导体有限公司（简称“新微半导体”）成立于2020年初，位于上海市临港新片区，一期建筑面积60,000平方米，专注于光电、射频和功率三大化合物半导体的晶圆代工服务，产品广泛应用于通讯、新能源、消费电子、汽车、工业和生物医疗等众多终端应用领域。同时，新微半导体亦提供设计支持与晶圆测试等增值服务以加快客制产品进入市场的时间，为客户创造更高的商业价值。