东芝半导体也出击：全行业掀起三星闪存围攻战

来源：内容综合自MoneyDJ、凤凰科技和参考消息网，谢谢。

时事通信社、读卖新闻等多家日本媒体报导，已被东芝 ( Toshiba )出售的半导体公司「东芝记忆体(TMC)」社长成毛康雄和美国私募基金贝恩资本(Bain Capital)日本法人代表杉本勇次4日在东京都举行了营运战略说明会，期望藉由持续进行巨额投资、追赶龙头厂三星电子。

TMC为全球第2大NAND型快闪记忆体 ( Flash Memory)厂商，市占率仅次于三星。据英国调查公司IHS Markit指出，2017年TMC于全球NAND Flash市场上的市占率为16.5%、位居第2，和龙头厂三星(市占率38.7%)之间有一段不小的差距。

成毛康雄4日指出，「将加快技术研发、扩大生产，2年内将增加约500名技术人员」。成毛康雄并指出，计划在3年后IPO (首次公开发行)、变更公司名称。

关于今后的设备投资，杉本勇次表示，「每年数千亿日圆的规模是必要的」。TMC 2017年度(2017年4月-2018年3月)设备投资额达5,768亿日圆、创下历史新高纪录。

东芝6月1日宣布，「东芝记忆体(TMC)」已如预期在1日完成出售手续，以约2兆3亿日圆的价格将TMC 100%股权卖给贝恩资本主导的企业联盟所设立的收购目的公司「Pangea」。东芝将对「Pangea」进行再出资、取得40.2%股权(等同持有TMC 40.2%股权)，日厂Hoya也将取得9.9%股权，即日本阵营仍将取得「Pangea」过半股权。

TMC 5月22日发布新闻稿宣布，因3D架构的NAND型快闪记忆体(Flash Memory)「BiCS FLASH」中长期需求料将呈现扩大，因此为了扩增3D NAND Flash产能，决定将在2018年7月于岩手县北上市着手兴建新工厂，该座北上新厂厂房预计将在2019年完工。

日刊工业新闻3月20日报导，TMC计划在截至2022年度为止的5年内追加兴建2座3D NAND Flash新厂房(不含上述北上新厂)、总计将有4座厂房在未来5年内启用，期望藉由积极投资、追击市占龙头厂三星电子。

据《金融时报》北京时间6月4日报道，西部数据再次呼吁日本政府对它与东芝的存储芯片合资企业提供支持，因为它在与韩国竞争对手三星的竞争中面临生死关头。

在因东芝向贝恩资本领衔的财团出售存储芯片业务引发的令人不快的法律纠纷划上句号后，东芝和西部数据计划借助它们合资企业生产的新一代闪存芯片，遏制市场份额下滑的趋势。

西部数据日本分部负责人Atsuyoshi Koike在一次采访中说，“政府资金的注入，能更好地确保合资企业的稳定性。我希望日本政府将更积极地提供有力支持，保护该国的半导体产业，否则它很难与其他国家竞争。”

上周五，由贝恩资本领衔、成员包括苹果和韩国芯片厂商海力士在内的财团，完成了斥资180亿美元收购东芝存储的交易。东芝存储是仅次于三星的全球第二大NAND闪存芯片供应商。

根据西部数据与东芝去年12月达成的和解协议，两家公司的合资企业不会受到上述交易的影响。

当上述交易去年9月份提出来时，两家日本政府投资的金融机构——日本创新网络公司和日本发展银行——决定作为投资方参与该交易。

它们参与交易旨在满足日本政府的要求，即东芝存储必须由日本机构控股。东芝仍然持有东芝存储40.2%股份，但日本创新网络公司和日本发展银行没有披露它们的投资金额。

西部数据与东芝之间的纠纷——西部数据称合资协议赋予了它否决东芝出售存储芯片业务的权利，它对海力士参与收购东芝存储芯片业务存在担忧——去年12月得到了解决。

但财务危机和法律纠纷给双方造成重大损失，两家公司NAND闪存芯片市场份额由2016年的35%下滑至31.7%，而三星市场份额则由36.1%上升至38.7%。

Koike和业内分析师指出，东芝和西部数据能否按计划在今年年底量产被称作96层3D闪存芯片的先进类型NAND芯片，将决定新一代闪存芯片市场的赢家。

东芝和三星在生产新一代闪存芯片方面采取不同策略，在竞相证明哪一种策略更适合量产。Koike说，“今年年底双方将分出胜负。”

虽然贝恩资本领衔的财团引发了将技术转让给海力士的担忧，但分析师指出，东芝可能需要与国际上的竞争对手合作，共同对抗三星。市场研究公司IHS Markit分析师Akira Minamikawa说，“向海力士转让技术的可能性是存在的，但就目前来说，与海力士合作，共同对抗三星是一条生存之道。”

据美国《华尔街日报》6月5日报道，中国监管机构正在调查存储芯片生产商美光科技公司、三星电子和海力士半导体，这三家公司均表示，中国国家市场监督管理总局官员近期走访了其中国办公室。

另据英国路透社6月4日报道，韩国三星电子证实中国国家市场监督管理总局的调查人员上周造访了其在中国的销售办事处。

芯片（芯片）制造商美光6月1日也表示，中方官员造访了公司销售办事处。美国《华尔街日报》报道也称，调查人员还造访了韩国SK海力士的中国办事处。报道称，三星发言人称，公司正在配合中国监管机构，但并未提供有关造访的更多细节。

据报道，这三家公司是动态随机存取记忆体（DRAM）芯片最大的供应商，此次中方调查人员造访，正值DRAM芯片价格显著上涨之际。DRAM芯片用于智能手机及个人电脑的数据存储。

韩国《亚洲经济》4日援引《韩国经济》的报道称，2017年，三星电子、SK海力士、美国美光三家芯片企业占全球DRAM市场份额总和的96%。去年一年，三家公司半导体业务在中国营收依次分别为253.86亿美元、89.08亿美元、103.88亿美元，总计446.8亿美元，同比2016财年的321亿美元增长39.16%。

报道称，更早前的2016年下半年，DRAM价格便开启了持续上涨模式，今年四五月份，一起美国消费者起诉三星电子、SK 海力士、美国美光等厂商人为操控零售价格的诉讼发起。诉讼人表示，上述三家公司的行动导致4G内存价格，在2016年7月1日至2018年2月1日内，DRAM芯片价格上涨了130%。

半导体业界人士认为，DRAM的价格持续上涨是不合理的市场状态，一般价格波动周期是半年或者三个季度，价格持续上涨三个季度一般会下跌，波峰波谷交替是正常规律，即供不应求——价格上涨——产能过剩——价格下跌，但从2016年至今两年里价格持续上涨，有明显的操控迹象。

据悉，2005-2006年间，美国司法部曾裁定三星、海力士、英飞凌、尔必达、美光在1999-2002年间存在价格垄断行为，除美光因率先认罪并协助调查而免于处罚外，其余四家公司被处以总计7.29亿美元罚款。2014年，欧盟也曾向包括韩国三星公司、荷兰飞利浦公司、德国英飞凌科技公司和日本瑞萨电子公司在内的全球芯片制造商开出罚单，原因是这些企业在两年左右的时间里非法串通，共享合约和价格等信息，垄断欧洲的智能卡芯片市场。最终，英飞凌被罚8200万欧元（约合1.08亿美元），飞利浦和三星分别被罚2000万欧元和3500万欧元。瑞萨因揭露垄断行为而免受处罚。

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