国产NOR Flash“老兵”的新征程，武汉新芯50nm新品全线量产
2020-05-14
14:00:03
来源: 半导体行业观察
武汉新芯集成电路制造有限公司（以下简称“武汉新芯”）作为武汉在集成电路领域布局最早的代表性企业，已在闪存研发制造领域深耕十多年，近年来还着力布局自有品牌NOR Flash业务。近日，半导体行业观察多次与武汉新芯相关人士沟通交流，深入挖掘了这家本土NOR Flash厂商的进击之路。
自2008年第一片NOR Flash晶圆下线以来，武汉新芯在闪存领域已积累了十多年的研发制造经验，通过与闪存领域世界级企业Spansion（现 Cypress）联合研发，不断迭代工艺技术，武汉新芯NOR Flash工艺节点已从最初的90nm延伸到65nm，甚至到更先进的45和32nm。凭借先进的工艺制程控制水平和稳定的品质保证及供货能力，武汉新芯已成为全球知名大客户的信赖伙伴。
2016年，全球半导体行业持续上演深度调整与整合，市场经历小幅的衰退，武汉新芯需要重新考虑公司如何在已有业务的基础上，寻求新的利益增长点？此时国内半导体厂商都聚焦在高端工艺的追逐。为有效管控企业风险和平衡产能利用率，武汉新芯选择另辟蹊径，决定深入挖掘深耕多年的NOR Flash业务的增长新路径。
基于在闪存领域深厚的技术积累以及对市场、客户需求的深入了解，武汉新芯在近日推出了业内领先的、使用50nm Floating Gate工艺打造的SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC。该系列产品容量覆盖16Mb到256Mb，支持低功耗宽电压工作，能为物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感的应用提供灵活的设计方案。
XM25QWxxC系列产品在1.65V至3.6V电压范围内读取速度可达133MHz（在所有单/双/四通道SPI和QPI模式下均支持），可以更好地支持电池供电便携式产品的工作要求。在电源电压下降后，时钟速度没有任何减慢，其传输速率可以胜过8位和16位并行闪存。在连续读取模式下能实现高效的存储器访问，仅需8个时钟的指令周期即可读取24位地址，从而实现真正的芯片内执行（XIP,eXecute In Place）操作，这样系统可以直接从Flash闪存内读取指令并执行，不必再把代码读到RAM中运行，加快了数据处理速度，更好地满足各类嵌入式应用的实时性要求。
该系列产品不仅在电压范围和数据读取方面表现突出，其工作温度也可以达到-40℃到105℃的工业级温度范围，这能满足物联网、工控、通讯等对外部工作环境要求苛刻的应用模块。乐鑫科技对此表示：“我们与武汉新芯合作的该系列产品容量覆盖16-128Mbit，其新品支持低功耗宽电压工作，高温可达105℃，能满足乐鑫科技全系列物联网芯片，智能家居及工业模组的应用要求。”
XM25QWxxC系列除了支持SOP8和USON8小尺寸封装，在中高容量产品也将针对可穿戴设备等尺寸受限的应用推出WLCSP封装，协助客户将空间利用发挥到极致。全线产品支持Known Good Die (KGD)解决方案，并为客户提供RDL服务，满足客户定制化的SiP需求。
“XM25QWxxC系列产品采用业界先进的50nm Floating Gate工艺，在性能和成本方面进一步提高了竞争力。”武汉新芯运营中心副总裁孙鹏先生表示，“针对快速发展的IoT和5G市场，武汉新芯将持续投入研发自有品牌的闪存产品，不断拓展产品线，为客户带来更多高性价比的产品与解决方案。”
武汉新芯的50nm产品在Channel length、Layout、Design rule以及外围电路方面都做了优化，有效节省芯片面积，综合成本全球最低。其中256Mb大容量宽电压产品die size比市场主流产品缩小15%-20%左右，且可支持SOP8小尺寸封装形式。
基于公司在NOR Flash领域先进的闪存研发技术和高效的产品研发体系，稳定可靠的生产平台和快速响应的交付能力，武汉新芯有信心将自有品牌NOR Flash业务推广到PC、通讯、电表等高端应用市场，后续更大容量、更小尺寸、更低功耗、更高标准的产品也将逐步推向市场。
今天是《半导体行业观察》为您分享的第2309期内容，欢迎关注。
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责任编辑：Sophie
