Cree加速打造全球最大的SiC制造工厂
2020-08-31
14:00:30
来源: 半导体行业观察
来源：内容来自半导体行业观察综合，谢谢。
在科锐 (Cree, Inc., 美国纳斯达克上市代码: CREE)，我们正在推进从硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的产业转型。为了满足日益增长的对于我们开创性 Wolfspeed 技术的需求，以支持电动汽车 (EV)、4G/5G 通信和工业市场的不断增长，我们于去年秋季宣布公司将在美国东海岸打造碳化硅 (SiC) 走廊。
科锐目前正在纽约州 Marcy 建造全球最大的碳化硅 (SiC) 制造工厂。这一全新的、采用领先前沿技术的功率和射频制造工厂，将满足车规级标准和 200mm 工艺。与此同时，位于公司总部北卡罗莱纳州达勒姆市的超级材料工厂 (mega materials factory) 的建设也在进行之中。这一全新的制造工厂将显著提升用于 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 业务的产能，将建设成为一座规模更为庞大、高度自动化且具备更高生产能力的工厂。
科锐首席执行官 Gregg Lowe 先生表示：“科锐将在碳化硅 (SiC) 制造和研发方面继续加大投入，以支持全球范围内对于我们技术不断增长的需求。我们相信先进半导体制造对于引领加速关键下一代技术起着至关重要的作用。”
据了解，这新制造工厂是先前所宣布计划的一部分，旨在显著提升用于Wolfspeed碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）业务的产能，将建设成为一座规模更大、高度自动化和更高生产能力的工厂。通过与纽约州州长（Andrew M. Cuomo）办公室以及其他州立与当地机构和实体的战略合作，公司决定在纽约州建造该新工厂，这将为科锐同时带来连续性的未来产能扩大和显著的净成本节约。
科锐将继续推进从硅（Si）向碳化硅（SiC）技术的转型，满足公司开创性Wolfspeed技术日益提升的需求，支援电动汽车（EV）、4G/5G移动和工业市场的不断成长。
据了解，科锐将投资近10亿美元，用于在纽约州fab的建造、设备和其它相关成本。纽约州将提供来自Empire State Development 的5亿美元资金，同时，科锐可享受当地额外的激励政策和减税，以及来自纽约州立大学的设备和工具。因此，公司预期在先前宣布的到2024年10亿美元扩大产能计划之中，可以实现将近2.8亿美元的净资本节约。同时，比之先前计画的工厂，将带来25%的产能提升。这座新工厂计划将于2022年实现量产，完工面积达到480,000平方英尺，其中近1/4将是超净间，提供未来所需产能扩充。这些扩展计画，将进一步提升科锐在市场竞争的领先地位，加速碳化硅（SiC）在一系列高成长产业中的采用。
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