台媒：2024年或实现2纳米量产
2020-10-10
14:00:35
来源: 半导体行业观察
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日前，Digitiems Research发表报告指出，2nm有望在2024年实现量产。他们指出，2022~2025年主要晶圆代工业者亦有新产能开出规划，先进工艺如3纳米产能将在2022年底前实现量产，DIGITIMES Research强调，若维持2年推进一个世代工艺，最快2024年可实现2纳米量产。
据国外媒体报道上月报道，今年一季度顺利量产5nm工艺的台积电，正在研发更先进的3nm和2nm芯片制程工艺，3nm工艺是计划在明年风险试产，2022年下半年大规模投产。3nm工艺投产之后，台积电下一步将投产的就将是2nm工艺，在2019年的年报中，台积电首次披露他们在研发2nm工艺。
外媒称台积电2nm工艺的研发已取得重大进展，研发进入了高级阶段，先于他们的计划。
在量产时间方面，外媒在报道中指出，台积电对2nm工艺在2023年年底的风险试产良品率达到90%非常乐观。外媒根据目前的研发进展推测，台积电的2nm工艺将在2023年风险试产，2024年大规模投产。
台积电的2nm工艺若如外媒报道的那样在2023年风险试产、随后一年大规模投产，也就意味着他们仍将保持两年投产一代新工艺的节奏。台积电的7nm工艺是在2018年的4月份大规模投产的，5nm工艺在今年一季度投产，中间相隔约两年；5nm之后的3nm工艺，计划在2021年风险试产、2022年下半年大规模投产，虽然距5nm工艺大规模投产的时间间隔超过两年，但量产时间大概率会提前，届时间隔预计也在两年左右。
对于台积电的2nm工艺，外媒此前曾报道称将会采用环绕栅极晶体管技术（GAA），不会继续采用鳍式场效应晶体管技术。来自Digitimes的最新报道称，台积电2nm GAA工艺研发进度提前，目前已经结束了路径探索阶段。
2nm工艺在2023年开始风险试产，也就意味着台积电需要开始谋划利用2nm工艺生产芯片的工厂。对于工厂，外媒在上周的报道中曾提到，台积电负责营运组织的资深副总经理秦永沛，透露他们计划在新竹建设2nm工艺的芯片生产工厂，建设工厂所需的土地已经获得。台积电董事长刘德音目前也透露，他们可能会扩建位于台中的晶圆十五厂，以增加2nm工艺的产能。
不同于台积电，三星提早在3 纳米就打算采用GAA ，意图在此技术上弯道超车台积电，但台积电研发多年的纳米片（Nano Sheet）堆叠关键技术，及EUV 运用经验，将能使良率提升更顺利。
所以不少法人预期，若2 纳米在2023 年即能投产，三星就算在弯道恐怕也超不了车。就目前台积电所公布的制程推进现况来看，采用EUV 的5 纳米良率已快速追上7 纳米，显见台积电在良率提升上的底蕴，甚至有业界人士预期风险试产良率即可到9 成。三星虽提前量产3 纳米GAA，但在性能上未必能压过台积电，而GAA 良率上的落差可能也不会如预期般明显，且据传2 纳米背后还有苹果的研发能量支持。
不过未来半导体制程将会更加竞争，不仅是三星，英特尔的SuperFin 技术也不可小觑，虽然纳米节点时程落后，但实际性能并不真的多差。早有舆论认为，台积电及三星的制程竞逐，很多只是数字游戏，而英特尔其实相对踏实，就实际电晶体密度等指标来看，新的英特尔10 纳米强化版已接近台积电5 纳米，是非常大的单一节点升级。
只要英特尔也敢忍痛杀价，SuperFin 仍然很有高阶市场的竞争力，就如同三星8 纳米已打出成绩一般，台积电虽然还占有优势，但仍不能轻敌。
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