厉害了,海力士72层存储2017量产
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SK 海力士最先进72 层3D NAND 记忆体传明年开始量产,韩联社26 日引述知情人事消息报导指出,海力士计划于2017 上半年完成芯片设计,位在利川(Icheon)的M14 厂将可在下半年开始生产。
若按计画进行,海力士将成为全球第一个量产72 层3D NAND 的记忆体厂。为因应市场需求增温,海力士上周已宣布将在南韩与中国两地,投资3.15 兆韩圜来增加DRAM 与NAND 记忆体产能。
随着微缩制程遭遇瓶颈,业者纷纷改以3D 垂直方式堆叠记忆体做突破,但制程技术各不相同。目前技术领先的三星已于2013 年量产48 层3D NAND 记忆体,至于64 层3D NAND 芯片也将在今年底开始投产。
据市调机构DRAMeXchange 统计,三星第三季NAND 记忆体营收来到37.44 亿美元,市占率较前季进步0.3 个百分点至36.6%。东芝以19.6% 位居第二,Western Digital、海力士与美光分居三、四、五名,市占率依序为17.1%、10.4% 与9.8%。
3D堆叠/制程微缩竞争白热化NAND供应商技术差距缩小
NAND Flash记忆体供应商为满足客户不断增加的储存空间需求,正分别从制程微缩与3D堆叠两个方向来提升NAND Flash的储存密度,且彼此间推出新世代产品的时间落差预料将明显缩小。可以预料的是,未来固态硬碟(SSD)等NAND Flash应用的单位储存成本将进一步下滑,开拓出更大的应用市场。
根据TechInsights所整理的资料显示,三星(Samsung)、东芝/新帝(Toshiba/SanDisk)、美光/IM Flash与SK海力士(SK Hynix)等主要NAND Flash记忆体供应商,在2016年皆已进入3D NAND时代。其中,进展最快的三星已率先于2015年下半进入48层MLC时代,预计在2017年初提升到64层MLC、2018年中进入96层MLC;东芝/新帝则持续追赶三星,先在2016年追上三星目前的进度,并预期在2017年中推出64层MLC。
进展相对较慢的美光/IM Flash及SK海力士,则已于2016年进入32层MLC时代,并将在2016年底、2017年初推出48层MLC、2018年中推出64层MLC。但值得注意的是,美光/IM Flash还有一条采用3D X-Point新架构的产品线将在2016年中开始量产上市,未来将对NAND Flash市场产生何种影响,有待后续观察。
而在制程节点方面,目前四大NAND Flash芯片供应商均已进入1y纳米世代,彼此之间差异不大。在进入1z纳米制程的时间点方面,除了东芝/新帝将在2016年下半率先导入12纳米制程,成为业界第一家进入1z纳米制程世代的供应商之外,其他三家业者之间都预计在2016年底~2017年初进入12纳米,时间落差只在一季之内。
由于3D结构可显著提升NAND Flash芯片的储存密度,因此各家业者均戮力发展3D NAND Flash。集邦科技DRAM Exchange认为,2016年各家业者的3D NAND Flash产出比重,将从2015年的6%提升到20%。
随着64层MLC与1z纳米制程陆续到位,2017年单一NAND Flash颗粒的主流容量要达到128Gb以上,预料将不成问题,届时SSD、eMMC等NAND Flash储存应用的容量规格也可望跟着升级,价格竞争力更上层楼。
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