三星副总裁Gitae Jeong解密三星18FDS

2018-09-20 14:00:34 来源: 电子工程世界

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2017年9月，三星宣布tape out业界首款28nm FD-SOI 制程下的eMRAM测试芯片，在新闻中，三星宣布自2016年起基于FD-SOI工艺tape out了超过40种产品，伴随着在28FDS和18FDS工艺及RF和eMRAM技术，三星将会获得越来越多的客户订单。

三星已经与包括Cadence和Synopsys在内的各种生态系统合作伙伴完成了其28FDS技术生态系统解决方案的完整集合。客户可以从Cadence和Synopsys访问三星认证的28FDS参考流以及特定于应用程序的IP产品。

在2017年上海FD-SOI论坛上，三星代工业务执行副总裁兼GM ES Jung介绍了三星在FD-SOI技术上的路线图及一些细节。

一年后，三星高级副总裁Gitae Jeong在2018年上海FD-SOI论坛上，又做了一些细节和蓝图的更新。

三星高级副总裁Gitae Jeong

FD-SOI拥有众多机会

Gitae Jeong表示，现在产业界正在向第四次革命迈进，其中第一次革命是蒸汽动力的发明，使得动力系统和机械得以广泛应用，第二次工业革命则是流水线的出现，使汽车等工业化产品得以批量生产，第三次工业革命是计算机、通信及飞机等出现，信息产业成为主导生产力的主要因素，而第四次革命将是信息系统，包括能源采集、物联网、自动驾驶等具有AI及更广泛连接能力的产业革命。

在第四次产业革命中，FD-SOI可以扮演着至关重要的作用。首先对于IoT系统来说，年符合增长率将达20%以上，包括处理器、传感及连接都有对于低功耗和低价格的需求。Gitae Jeong说道，未来IoT芯片将会是多IP组成的单芯片，包括eMRAM、逻辑以及射频等组成存储、处理及连接等系统，实现最低功耗和最小封装尺寸。

三星具体的FD-SOI路线图

如图所示，目前三星针对物联网应用，在28LPP+eFlash+RF早已成熟，同时，28FDS+eMRAM+RF将是28nm最具竞争力的产品，相比较28LPP，速度提升25%。而今年年底明年初，18FDS将会正是问世，相比28FDS，速度进一步提升20%，同时面积减少35%。到了2020年，RF/eMRAM结合的产品将会大规模问世。

三星在FDSOI技术上有着完整且长远的蓝图规划

Gitae Jeong以客户实际的28FDS数据，用以说明其优势。某客户相比较前一代40nm产品，采用28FDS后，射频功耗下降了76%，处理器功耗下降了65%。

三星客户成功案例

Gitae Jeong说道，三星正是进入FD-SOI量产阶段是2015年才开始，相比较其他公司还是年轻，但通过不断地投入，使得三星在FD-SOI代工市场已成为不可或缺的重要元素。

除此之外，Gitae Jeong强调了三星代工厂的SAFE（Samsung Advanced Foundry Ecosystem）生态系统，通过和不同的IP、EDA、设计服务公司合作，以及包括三星和Arm在内提供基础库，使得三星的生态系统变得更加安全强大，已拥有众多经过验证的IP平台，目前Arm已经为18FDS提供了基础库。

三星在FD-SOI上所构建的SAFE生态系统

对此，Gitae Jeong以NXP、Cadence和三星联合开发为例，解释了三星的生态系统。其中NXP提供i.MX产品线定义，Cadence不光提供传统的EDA工具，还专门为客户定制了一些工具，此外提供了包括Tensilica HiFi 4 DSP在内的IP，而三星提供28FDSOI工艺代工。“SOI生产是非常困难的，因为衬底的问题，此外对晶圆也有高一致性要求，所以我们也碰到了很多困难，多亏技术进步，使我们可以迅速量产。”Gitae Jeong说道。

Gitae Jeong强调，28 FDS的良率相较之前改善很多，漏电流趋于稳定。目前已有5款基于28 FDS的芯片量产，2018年新tape-out芯片种类达到18种，其中最重要的客户来自物联网/移动通信和消费。