英特尔投资70亿美元重启亚利桑那工厂,聚焦新工艺研发?

2017-02-09 09:30:00 来源: 互联网

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北京时间2月9日早间消息,英特尔本周在白宫椭圆形办公室宣布,对此前搁置的亚利桑那州工厂投资70亿美元。英特尔表示,在建成并运营后,这处工厂将创造3000个工作岗位。英特尔CEO科再奇(Brian Krzanich)在美国总统特朗普的陪同下宣布了这笔投资。特朗普表示,科再奇几周前向其致电称,希望能一同公布这一重大消息。科再奇表示,在白宫宣布这笔投资是“对政府正在推进的税务和监管政策”的支持。

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“英特尔非常自豪的是,我们的制造业大部分都在美国,我们的大部分研发也都在美国,而我们的产品80%销往海外。”科再奇在白宫如是说。

2011年,英特尔原本计划在亚利桑那州投资50亿美元建造一座工厂,但由于半导体行业开始从PC转移向手机等移动设备,PC销量在此后一直下滑,英特尔因此搁置了该项计划。

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特朗普于1月20日就职美国总统。他在去年的美国大选中表示,将推动企业在美国创造就业岗位,而不是将岗位转移至国外。

此前,英特尔与100多家公司一同,提交法律陈述,对特朗普的移民禁令表示反对。

白宫负责技术项目的官员里德•科迪什(Reed Cordish)表示,这一事项并未被提交至白宫会议。

英特尔表示,该工厂将在3到4年内完工。这一工厂于2011年开工,计划投资50亿美元,并于2013年落成。英特尔于2014年搁置了这一计划。当时智能手机和平板电脑的发展影响了市场对PC的需求。

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壮志未酬的亚利桑那Fab 42

Fab 42工厂曾是一个50亿美元的大项目,原计划在2013年底开始生产英特尔最先进的芯片产品。不过英特尔发言人楚克•穆罗伊(Chuck Mulloy)透露,就在同一地点的其他工厂升级换代之际,位于Chandler的这座工厂将在可预见的未来继续保持关闭状态。

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Intel的晶圆厂分布

穆罗伊表示:“新的建设将暂时搁置,并将取决于未来的技术。”他表示,尽管新工厂没有开工,但英特尔已经完成了2011年启动建设以来雇佣逾1000名员工的目标。通过雇佣这些员工,英特尔获得了亚利桑那州的税收优惠。

2012年奥巴马竞选连任时,曾在该工厂建设用地上停留,并呼吁美国政府采取措施,夺回过去这些年被亚洲抢走的制造业务。

作为全球最大的芯片厂商,英特尔在智能手机和平板电脑领域却处处受制,这场移动革命已经极大削减了PC的市场需求,影响了英特尔的核心业务。市场研究公司Gartner的数据显示,2013年全球PC出货量下滑10%,这是自Gartner追踪这些产品以来的最大降幅。

“新工厂尚未安装固定设备,尽管空调设备已经装好,但是真正有用、昂贵的设备还没有到位。”穆罗伊表示。过去英特尔拥有市场统治力的很大一部分原因,就是该公司拥有世界上最先进的芯片生产技术,并且总是领先于竞争对手两年左右的时间。

英特尔原计划在这座工厂启用最先进的生产工艺,生产14纳米微芯片。穆罗伊表示,Chandler现有的英特尔工厂之前使用的是上一代22纳米制造工艺,但正在转型升级到14纳米工艺,而且英特尔新招募的员工中,很多将在这些工厂工作。他说:“这样可以更好地利用资金。”

英特尔三分之二的微处理器产自美国,其他则产自爱尔兰、以色列和中国工厂。目前英特尔正在扩建美国俄勒冈州的一座工厂,工程师将在该工厂开展长期计划,在450毫米的硅片上生产微芯片。目前世界芯片行业使用的最大硅片为300毫米左右。

“新”工厂还会瞄准最新的工艺吗?

前面提到,英特尔本来想在Fab42推进当时最新的14nm工艺进展的,但由于这样那样的原因,最终导致工厂的停摆,而新工艺也经历了很久才面世,且没取得预期的效果。现在这个工厂重启,Intel会否继续在上面开拓新工艺?例如1onm?

根据英特尔最新的一份路线图显示,Intel要到2017年第四季度,才会推出10nm处理器。这份路线图只显示了Intel在移动平台上的规划,但这几年Intel都是移动先行,桌面版肯定都会比这更晚,Kaby Lake就要到明年初才会登陆桌面,Coffee Lake说不定得2018年年中。

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但今年1月,据海外媒体报道,英特尔(Intel)日前宣布将推出10纳米芯片,搭载该芯片的处理器预计2017年推出,此消息一出,也等于驳斥外界认为摩尔定律(Moore’s Law)发展已放缓的说法。评论指出,虽然其他厂商也推出10纳米技术,但各家标准并未统一,而且英特尔在10纳米技术仍维持数年的领先优势。

据IEEE Spectrum报导,2017年英特尔将推出的新处理器采用该公司最新10纳米芯片制程技术。该公司也指出,届时采该制程生产的电晶体成本将比以往还低,代表摩尔定律精神不仅将延续,也驳斥电晶体制造成本已来到最低的说法。

展望来年,英特尔并计划在电晶体设计上继续精进,而且首度让自家制程技术最大化以便符合其他公司需求,可利用英特尔设备生产采安谋(ARM)架构的芯片。

英特尔院士Mark Bohr指出,虽然目前芯片制程世代或节点名称说法与芯片上的功能多有脱勾,但该公司10纳米世代所能达到的密度,将比目前14纳米芯片甚至其他业者的10纳米产品还要高。

该公司日前也公布多项新世代制程数据,包括负责开关的电晶体闸极长度以及闸极间距(gate pitch)都会更小,最小的闸极间距将由70纳米变成54纳米,执行标准逻辑功能的逻辑单元尺寸也会比目前采用14纳米技术的小46%。

Bohr也指出,这已是较往年更为大胆的微缩程度,也一反日前新芯片制程世代出现时间变慢的发展趋势。

英特尔指出,即使生产10纳米晶圆的成本会比14纳米高,但每颗电晶体生产成本会较低,而且在切换速度(switching speed)与功耗上都可获得提升。因此,Bohr表示,在尺寸与效率上改善后,将可望让服务器芯片增加更多核心以及在GPU增加执行单元。

过去英特尔每2年都会推出新的制程世代来升级电晶体,但在14纳米,该公司推出被称为半节点(deminode)世代,也就是在10纳米之前只针对14纳米做出改善,而且在10纳米后,预计在进展至下一个7纳米世代之前,也先推出2个半节点10nm+与10nm++。

目前三星电子(Samsung Electronics)与台积电也在生产10纳米芯片,2016年10月三星更宣布已率先量产,采用该芯片的装置预计在2017年初上市,GlobalFoundries则倾向在2018年开始一举进入7纳米。

对此,分析半导体产业发展的VLSI Research机构执行长Dan Hutcheson指出,目前各厂都在积极突破微缩的极限而且都取得进展,但彼此标准并未统一,若以10纳米产品比较,英特尔在特征尺寸上仍有多年领先优势。

除此之外,Hutcheson也指出,英特尔透过控制与一致化其自家制程而与其他厂商有所区隔,也帮助其在发展代工服务上具备优势。至于为其他公司代工芯片也是英特尔新作法之一,而且具备生产ARM处理器的能力后,对该公司来说更是重要。

英特尔也表示,首款10纳米芯片将优先在其处理器上采用,2018年再向其他厂商开放。

至于具体的进展,就静待英特尔的公布了。

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