南亚科开始量产20纳米DRAM，10nm提上日程

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DRAM厂南亚科( 2408-TW )今(1)日举行总部落成典礼，总经理李培瑛指出，新厂将开始生产20纳米，同时也让南亚科10纳米奠定研发基础，李培瑛会后指出，南亚科针对10纳米已有研发计划，有两套方案进行中，一是自主研发，另一个则是取得美光技术授权，生产制程技术持续往先进方向发展。

李培瑛表示，南亚科新营运总部，给南亚科的意义是制程进入20 纳米，南亚科将可提供客户一系列20 纳米制程产品，除现在的LPDDR4，未来也将进入DDR5 与DDR6。

更重要的是，他认为，新厂将使南亚科开发10 纳米制程上提供很好的研发基础。

李培瑛表示，南亚科对10 纳米已有布局计划，分两套方案进行，一套是自主研究开发，另一套则是取得美光1X/1Y 的授权技术选择权。

他强调，虽然南亚科多数技术授权来自美光，不过南亚科30 纳米制程产品当中，有高达95% 是自己开发出来，显示南亚科也积极自主研发DRAM 生产技术。

李培瑛认为，南亚科用两个方案进行，持续往先进制程发展，也才能让南亚科技旭永续经营。

南亚科董事长吴嘉昭致词时指出，新总部启用，将可使原本分散在3 个地方的厂区集中一起，而新厂扩建的无尘室厂房，将是未来20 纳米与10 纳米的生产基地。

吴嘉昭强调，南亚科成立22 年，经历过几次产业不景气，还有同业整并的艰困情形，不过最后仍转型成DRAM 产业重要供应商，4 年多前开始转型再造，全力发展利基型产品，专注在产品、客户面向的多元化发展，目前经营绩效大幅提升，20 纳米也已进入量产阶段，未来DRAM 将持续不可或缺，南亚科累积多年经验，将持续让产业发展更健康。

总经理李培瑛指出，新厂与设备总投资金额为557亿元，新的20纳米工艺，加上原有的30纳米制程，总投片量将达6.8万片，未来每年将可为南亚科创造200亿元产值。

李培瑛指出，新厂投产也将创造逾500 个就业机会，是台湾近年重大投资案，且除制程进步，新厂也将提供全方位产品线，包含DDR3、DDR4、LPDDR4X，可满足未来智能汽车、智能家庭、智能办公室、工业4.0 与AI 人工智能等多元需求。

李培瑛表示，此次投产的20 纳米晶圆厂FAB 3AN，包含厂房与设备投资金额达557 亿元，加上另一栋3A 厂房，总投资金额为1800 亿元。

他强调，新厂投产将可使南亚科开始导入20 纳米制程，生产一系列20 纳米制程产品，如LPDDR4，同时南亚科可在此平台上，让产品逐步进入DDR5 与DDR6，新厂将成南亚科的重要平台，也给未来南亚科发展10 纳米制程提供一个重要基础。

南亚科新厂位在新北市泰山南林园区新设总部及厂房，更依循台湾绿建筑评估系统EEWH 规划兴建，采用低污染、可循环利用之建材，并导入各类节能设计，包含绿化量、照明节能、空调节能、二氧化碳减量指标等，水资源与基地保水指标优于法规设计，展现绿建筑设计原则。

李培瑛强调，DRAM 记忆亿体是关键零组件，近年南亚科专注在利基市场上，是台湾一家拥有先进制程技术，也具备产品完整开发能力的DRAM 整合元件制造公司，透过新总部落成，制程转进20 纳米，也为未来10 纳米世代奠定基础，将创造更多就业机会，延续南亚科的记忆体市场优势。

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