96层3D NAND明年量产 群联控制器方案准备就绪
2018-06-08
14:01:09
来源: 老杳吧
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为实现更高储存密度，NAND Flash的堆栈层数不断增加，单一晶胞内能储存的信息也越来越多。 目前NAND Flash芯片已经进入64层TLC时代，展望2019年，三星(Samsung)、东芝(Toshiba)等业者都将进一步推出96层QLC颗粒。 为了因应即将量产的新一代NAND Flash规格特性，控制器业者群联已备妥对应的解决方案。
群联电子发言人于绍庭表示，3D NAND Flash技术不断推进，目前64层TLC已经是相当稳定的产品。 而为了进一步提升储存密度，NAND Flash供货商正在努力往96层QLC发展，届时单一颗粒的储存容量将可达1TB。 其实，目前已经有业者发表采用QLC架构的64层3D NAND Flash，但技术验证的意味浓厚，预计要等到2019年推出的96层3D NAND Flash，才会开始大量采用QLC。
为了因应此一技术发展趋势，群联在Computex期间正式发表其第一款支持3D QLC的控制芯片。 由于QLC架构虽可实现更高的储存密度，但数据储存的可靠度跟读写速度却会受到影响，因此该控制器搭载了群联自行研发的第四代SmartECC技术，在PCIe Gen3x4的带宽下，读写效能均可达3,200MB/s， IOPS则均为600K。
群联进一步解释，当数据被写入到NAND Flash内部时，其支持SmartECC的控制器同时会产生一组校正码，与数据一起存入。 数据从NAND读回时若发生错误，控制芯片会透过校正码更正数据，若该错误无法透过ECC校正码成功更正，这笔数据就会进入SmartECC的补救流程，藉由特别设计的算法修正数据，提高数据可靠性。
不过，有业界人士认为，由于QLC的可靠度比TLC更差，因此即便96层QLC颗粒在2019年进入量产，要应用在固态硬盘(SSD)上，可能还需要一段时间。 采用96层QLC颗粒的第一批终端应用产品应该不会是固态硬盘，而是USB随身碟这类对可靠度要求较低的应用。 而这也意味着USB随身碟容量大举进入1TB的时间点，可能会出现在2019年。
群联电子发言人于绍庭表示，3D NAND Flash技术不断推进，目前64层TLC已经是相当稳定的产品。 而为了进一步提升储存密度，NAND Flash供货商正在努力往96层QLC发展，届时单一颗粒的储存容量将可达1TB。 其实，目前已经有业者发表采用QLC架构的64层3D NAND Flash，但技术验证的意味浓厚，预计要等到2019年推出的96层3D NAND Flash，才会开始大量采用QLC。
为了因应此一技术发展趋势，群联在Computex期间正式发表其第一款支持3D QLC的控制芯片。 由于QLC架构虽可实现更高的储存密度，但数据储存的可靠度跟读写速度却会受到影响，因此该控制器搭载了群联自行研发的第四代SmartECC技术，在PCIe Gen3x4的带宽下，读写效能均可达3,200MB/s， IOPS则均为600K。
群联进一步解释，当数据被写入到NAND Flash内部时，其支持SmartECC的控制器同时会产生一组校正码，与数据一起存入。 数据从NAND读回时若发生错误，控制芯片会透过校正码更正数据，若该错误无法透过ECC校正码成功更正，这笔数据就会进入SmartECC的补救流程，藉由特别设计的算法修正数据，提高数据可靠性。
不过，有业界人士认为，由于QLC的可靠度比TLC更差，因此即便96层QLC颗粒在2019年进入量产，要应用在固态硬盘(SSD)上，可能还需要一段时间。 采用96层QLC颗粒的第一批终端应用产品应该不会是固态硬盘，而是USB随身碟这类对可靠度要求较低的应用。 而这也意味着USB随身碟容量大举进入1TB的时间点，可能会出现在2019年。
责任编辑：星野
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